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K6A55DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A55DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A55DA-VB

K6A55DA-VB概述

    K6A55DA Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K6A55DA 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源管理和电力转换应用。该器件具备低导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(Qg),使其成为服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)的理想选择。此外,它也广泛应用于工业控制等领域。

    技术参数


    - 主要特性
    - 低优值系数(FOM)Ron x Qg
    - 低输入电容(Ciss)
    - 降低的开关损耗和传导损耗
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 冲击电能等级(UIS)
    - 电气参数
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 最大连续漏电流(TJ=150°C):3.5A
    - 最大脉冲漏电流(IMD):依据最大结温限制
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 最大功耗(PD):140W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 栅源阈值电压(N):2.5V 至 5V
    - 有效输出电容(CO(er)):依据电压变化
    - 总栅极电荷(Qg):10nC(在 VGS=10V,ID=4A,VDS=520V 条件下)
    - 门极-源极电荷(Qgs):4nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):8nC
    - 体二极管的最大正向电流(ISM):依据温度变化
    - 热阻参数
    - 最大结-壳(漏极)热阻(RthJC):0.6°C/W
    - 最大结-环境热阻(RthJA):63°C/W

    产品特点和优势


    K6A55DA 的核心优势在于其卓越的电气特性和出色的可靠性。其低导通电阻和超低栅极电荷使得其在高效率应用中表现出色,显著降低了功率损耗。此外,其优异的雪崩耐受能力(UIS)确保了在极端工作条件下的稳定性,适合用于严苛的应用环境。独特的设计使得其在开关频率较高时仍能保持较低的开关损耗,从而提升了整体系统的效率。

    应用案例和使用建议


    K6A55DA MOSFET 在多种应用中均有出色表现。例如,在服务器和电信电源供应中,它可以有效地降低功耗并提高效率。对于开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源,K6A55DA 可以实现快速开关,减少电磁干扰。在工业应用中,其高可靠性和高耐压特性使其能够应对各种复杂的工作环境。针对这些应用场景,建议选择合适的散热方式以优化其热管理性能,并确保在高温环境下使用时考虑其最大结温限制。

    兼容性和支持


    K6A55DA 与常见的电路板标准兼容,适合于大多数电源转换设计。厂商提供详细的技术文档和支持,确保用户可以轻松集成到现有系统中。此外,官方技术支持和服务网络覆盖全球,为用户提供可靠的售后保障。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极-源极间泄漏电流过大。
    - 解决方案:检查电路中的栅极电阻(Rg)是否设置合理,适当调整以降低泄漏电流。

    - 问题:工作过程中出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,例如采用高效散热片或强制风冷,确保器件在安全温度范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,K6A55DA Power MOSFET 是一款功能强大且性能稳定的电子元件,适用于多种电源管理和电力转换应用。其低损耗、高可靠性和易用性使其成为许多行业用户的首选。如果你正在寻找一款能够提高系统效率并降低功耗的高性能 MOSFET,K6A55DA 将是一个值得考虑的选择。强烈推荐在相关的应用领域中使用此产品。

K6A55DA-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A55DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A55DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6A55DA-VB K6A55DA-VB数据手册

K6A55DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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