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NP36N055SHE-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: NP36N055SHE-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP36N055SHE-E1-AY-VB

NP36N055SHE-E1-AY-VB概述


    产品简介


    NP36N055SHE-E1-AY 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-252封装形式。这种电子元器件主要用于电力转换和控制应用中,如开关电源、马达驱动器和逆变器等。其主要功能是作为电子系统中的开关元件,通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流流动。NP36N055SHE-E1-AY 采用了先进的TrenchFET® 技术,确保其在高温条件下仍能保持高效率。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | 123 - | mV |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 | - | 50 | µA |
    | 导通状态下漏极电流 | ID(on) | - | - | 60 | A |
    | 导通状态下的漏源电阻 | RDS(on) | 0.010 | 0.016 | 0.020 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 2650 - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 470 - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 225 - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | 47 | 70 | - | nC |
    | 转换时间 | td(on), tf, tr| 10 | 20 | 30 | ns |

    产品特点和优势


    NP36N055SHE-E1-AY 具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 高温操作能力:这款MOSFET能够在高达175°C的结温下工作,这使其适用于极端温度环境下的应用。
    2. 高效能:由于采用TrenchFET®技术,其导通电阻低,这意味着较低的功耗和较高的能效。
    3. 快速响应:门极电荷低,保证了快速的开关响应时间,有助于提高系统的整体效率。
    4. 高可靠性:能够承受较大的瞬时电流冲击,适合于需要高可靠性的工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:NP36N055SHE-E1-AY 主要应用于高压高频电力转换设备中,例如开关电源、电机驱动器和逆变器等。这些应用要求开关速度快、能在高温环境下稳定工作,并且具备良好的耐用性和可靠性。
    使用建议:
    - 在选择电路布局时,应考虑PCB的散热设计,以确保元器件在正常运行时不会过热。
    - 根据负载情况合理设置驱动电路的门极电阻,以实现最佳的开关性能。
    - 在大电流情况下,注意监测温度变化,必要时采取额外的散热措施。

    兼容性和支持


    NP36N055SHE-E1-AY 与多种标准电路设计兼容,适用于不同类型的电力系统。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持、产品培训和保修服务。客户可以通过官方热线400-655-8788咨询相关问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极电阻和驱动信号。若门极电阻过高,则更换为较低电阻值的门极电阻;同时检查驱动信号质量。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。若适用,可以降低工作电压以减少发热。 |
    | 短时间内重复导通损坏 | 确保电路设计能够限制瞬态电流和热量积累。如果需要频繁快速开关,可增加散热措施。 |

    总结和推荐


    NP36N055SHE-E1-AY 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备优异的高温稳定性和高效的转换性能,非常适合应用于高压高频电力转换设备中。其独特的TrenchFET®技术提供了更低的导通电阻和更快的开关速度,显著提升了系统的整体性能。对于那些对元器件质量和性能要求高的应用来说,NP36N055SHE-E1-AY无疑是一个值得信赖的选择。因此,强烈推荐使用此产品。

NP36N055SHE-E1-AY-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP36N055SHE-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP36N055SHE-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP36N055SHE-E1-AY-VB NP36N055SHE-E1-AY-VB数据手册

NP36N055SHE-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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