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UPA2708GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: UPA2708GR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2708GR-VB

UPA2708GR-VB概述

    UPA2708GR N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA2708GR 是一款高性能的N沟道30V MOSFET,由VBsemi公司设计生产。这款产品特别适用于笔记本电脑CPU核心的高边同步整流操作。它的关键特性包括采用TrenchFET®技术,保证100% Rg和UIS测试,确保可靠性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 18 A
    - TC = 70°C: 16 A
    - TA = 25°C: 15 A
    - TA = 70°C: 13 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):50 A
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):38°C/W(最大值)
    - 最大漏极-源极击穿电压 (VDS):30 V
    - 最大零栅极电压漏极电流 (IDSS):1 µA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    - 最大源极-漏极二极管电流 (IS):
    - TC = 25°C: 3.8 A
    - TA = 25°C: 2.1 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS):22 A
    - 最大雪崩能量 (EAS):24 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 4.5 W
    - TC = 70°C: 2.8 W
    - TA = 25°C: 2.5 W
    - TA = 70°C: 1.6 W

    产品特点和优势


    UPA2708GR 的主要特点如下:
    - 无卤素:确保环保要求。
    - TrenchFET® Power MOSFET:提供了出色的性能和可靠性。
    - 优化用于高边同步整流操作:非常适合于笔记本电脑CPU核心。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    这些特性使其在众多应用中表现出色,尤其是在笔记本电脑电源管理领域。

    应用案例和使用建议


    UPA2708GR 主要应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关。它在高边同步整流操作中的表现尤为突出,能够有效提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 确保电路中的温度不超过最高额定值,特别是在高负载情况下。
    - 考虑增加散热措施以延长使用寿命。
    - 在设计中注意栅极电阻的选择,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    UPA2708GR 支持标准的SO-8封装,可以轻松与其他同类产品互换使用。VBsemi公司提供全面的技术支持和客户服务,帮助用户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流过高导致器件过热。
    - 解决方法:确保散热良好,增加散热片或使用外部冷却装置。
    2. 问题:开关损耗过大。
    - 解决方法:优化栅极电阻选择,减小开关时间。
    3. 问题:电路不稳定。
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,确保电容和其他元件的匹配性。

    总结和推荐


    UPA2708GR N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在笔记本电脑电源管理方面表现出色。它具有优异的电气特性和可靠性,适用于高边同步整流操作。如果您正在寻找一个可靠的MOSFET来提升您的系统性能,UPA2708GR是一个值得考虑的选择。
    强烈推荐使用UPA2708GR MOSFET。

UPA2708GR-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2708GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2708GR-VB数据手册

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UPA2708GR-VB封装设计

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