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JCS650C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS650C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS650C-O-C-N-B-VB

JCS650C-O-C-N-B-VB概述

    JCS650C-O-C-N-B-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS650C-O-C-N-B-VB 是一款高性能的N沟道200V MOSFET,采用TO-220AB封装。这款产品采用了先进的TrenchFET®技术,能够在高温环境下保持卓越性能。JCS650C-O-C-N-B-VB 主要应用于工业控制、电源管理等领域。它具有高可靠性、低热阻和符合RoHS指令的优点,适用于严苛的工作环境。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 200V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175 °C, TC = 25 °C): 3A (25 °C), 5A (125 °C)
    - 脉冲漏电流(IDM): 70A
    - 冲击电流(IAR): 35A
    - 单脉冲能量(EAR): 61mJ
    - 最大功率耗散(TA = 25 °C, TC = 25 °C): 300W (25 °C), 3.75W (TA = 25 °C)
    - 工作结温及存储温度范围:-55 °C 至 175 °C
    - 热阻率
    - 结到环境(PCB安装): RthJA = 40°C/W
    - 结到外壳(漏极): RthJC = 0.5°C/W

    产品特点和优势


    - 先进的TrenchFET®技术: 提供低导通电阻(RDS(on)),提高效率。
    - 宽广的工作温度范围: -55 °C 至 175 °C,适合高温环境。
    - 新低热阻封装: 提高散热能力,延长使用寿命。
    - RoHS合规: 符合环保标准,适用于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 工业控制: 如电机驱动器、工业自动化系统。
    - 电源管理: 如开关电源、直流-直流转换器。

    - 使用建议:
    - 在选择应用电路时,确保电路设计考虑漏源电压(VDS)不超过200V。
    - 使用过程中注意温度管理,尤其是在高温环境下,合理散热以避免过热。
    - 在高压或高功率应用中,应定期检查和测试设备,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于各种工业控制和电源管理设备。
    - 支持: 客户可以联系VBsemi的服务热线400-655-8788,获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备工作温度过高,影响性能。
    - 解决方案: 优化散热设计,使用合适的散热器或外部冷却系统。

    - 问题: 寿命缩短,频繁出现故障。
    - 解决方案: 检查电路设计和使用环境,确保符合产品规格要求。


    总结和推荐


    JCS650C-O-C-N-B-VB N-Channel 200V MOSFET 以其出色的性能和广泛的应用范围,在工业控制和电源管理领域表现出色。其高温耐受性和先进的TrenchFET®技术使其成为可靠的选择。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高性能的工业应用。
    通过以上内容的详细介绍,您可以更好地了解JCS650C-O-C-N-B-VB的特点和应用场景,从而做出明智的选择。

JCS650C-O-C-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 35A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS650C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS650C-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS650C-O-C-N-B-VB JCS650C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS650C-O-C-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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