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QM02N65U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: QM02N65U-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM02N65U-VB

QM02N65U-VB概述

    文章标题:QM02N65U N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    QM02N65U 是一款高性能的 N 沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET),由 VBsemi 生产。这种器件广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统以及各类功率转换电路中。它的主要功能是高效切换高电流和高电压,同时具备低导通电阻和优秀的动态特性。此外,该产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的要求,适用于环保型电子产品设计。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 5 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 静态门极电容 | Ciss | - | 417 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 45 | W |
    - 动态特性:上升时间(tr)≤20 ns,下降时间(tf)≤18 ns,开关延迟时间(td(on)/td(off))分别为 14 ns 和 34 ns。
    - 热阻抗:最大结壳热阻 RthJC = 2.1°C/W。
    - 封装:IPAK(TO-251)。

    3. 产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低 Qg 值意味着驱动需求简单,可有效降低功耗并提高效率。
    2. 增强的耐用性:具有改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力。
    3. 全面的电容和雪崩特性:确保器件在各种条件下的可靠运行。
    4. 环境友好:完全符合 RoHS 指令,适合绿色设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:QM02N65U 可用于高性能开关电源设计,特别是在硬开关拓扑中,它能承受较高的 dV/dt 和 avalanche 电流。
    - 电机驱动:作为逆变器或桥式电路的核心器件,适合工业控制和机器人系统。
    - LED 驱动:其快速开关速度能够满足 LED 驱动电路对高效性和瞬态响应的需求。
    使用建议:
    - 在高压场合下,确保 PCB 布局尽量减少寄生电感,改善热传导路径。
    - 使用大尺寸散热片以提升散热性能,延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    QM02N65U 支持主流 PCB 封装,可与其他同类 N 沟道 MOSFET 和驱动芯片良好配合。VBsemi 提供完整的技术支持服务,包括产品文档、样品供应和定制化设计支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确保 PCB 布局减少寄生电感,使用高性能驱动器。 |
    | 热管理不佳 | 使用大尺寸散热片,检查散热膏涂抹是否均匀。 |
    | 开关失效 | 检查输入电压和负载是否在规定范围内。 |

    7. 总结和推荐


    QM02N65U 是一款高性价比的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的开关特性和耐用性。凭借其紧凑的封装、高可靠性及绿色环保特性,非常适合现代电力电子设备的设计。经过全面测试和验证,我们强烈推荐此产品用于各类高压和高频开关应用中。如需进一步技术支持或样品申请,请联系 VBsemi 官方服务热线:400-655-8788。

    希望以上文章能满足您的需求!

QM02N65U-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM02N65U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM02N65U-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM02N65U-VB QM02N65U-VB数据手册

QM02N65U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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