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K4075-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K4075-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4075-ZK-E1-AY-VB

K4075-ZK-E1-AY-VB概述


    产品简介


    产品类型
    本文介绍的是N沟道4V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为K4075-ZK-E1-AY。这种MOSFET属于TrenchFET®系列,具有出色的开关特性和低导通电阻。
    主要功能
    此款MOSFET主要用于同步整流和电源供应。其设计旨在提供高效率和可靠性,在各种电力转换应用中表现优异。
    应用领域
    该产品广泛应用于电源管理、工业自动化、通信系统、计算机电源等领域。尤其适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 40 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.0050 Ω |
    | 持续漏极电流 | ID 85 A |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS 1 μA |
    | 输入电容 | Ciss 2380 pF |
    | 输出电容 | Coss 550 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 250 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 80 nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd 12 nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):该MOSFET在典型工作条件下,具有非常低的导通电阻,确保高效的能量转换和低损耗。
    2. 高耐压能力:具有40V的漏源击穿电压,适用于高电压应用场景。
    3. 快速开关特性:其快速的开关特性使其非常适合高频应用,如开关电源和同步整流。
    4. 高可靠性:100%通过了Rg和UIS测试,保证了产品的长期稳定性和可靠性。
    5. 符合RoHS标准:该产品符合环保要求,可应用于对环保要求较高的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    此款MOSFET特别适用于多种电源管理场景,如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及开关电源模块。它能够显著提高这些设备的效率和稳定性。
    使用建议
    1. 散热管理:尽管该MOSFET具有良好的热阻特性,但在高负载情况下仍需适当散热,以防止过热影响性能。
    2. 合理布局:在电路板设计时,应尽量靠近电源输入端和输出端放置该MOSFET,以减少寄生电感和提高整体效率。
    3. 并联使用:如果需要更高的电流处理能力,可以考虑将多个MOSFET并联使用,以分担电流压力。

    兼容性和支持


    兼容性
    该MOSFET采用TO-252封装形式,易于焊接和安装。根据实际需求,可以通过合理的布局和散热设计实现与不同电源设备的兼容。
    支持信息
    VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南、样品申请及技术支持服务。用户可通过服务热线400-655-8788联系厂家获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 加装散热片或采用更好的散热方式。 |
    | 寿命短 | 确保在规定的工作温度范围内使用。 |
    | 高频下开关损耗大 | 调整电路布局以减少寄生电感和电容。 |
    | 导通电阻过高 | 确认连接和焊接良好,并检查是否超过最大额定值。|

    总结和推荐


    总体来看,K4075-ZK-E1-AY MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适用于需要高效率和可靠性的电源管理和控制应用。其优秀的性能指标和设计特点使其在市场上具备很强的竞争力。建议在需要高效能和可靠性的应用场景中优先选用此款MOSFET。
    本报告综合分析了K4075-ZK-E1-AY MOSFET的技术参数、应用案例、优势及常见问题,以期为工程师和采购人员在选择和使用该产品时提供参考。

K4075-ZK-E1-AY-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 85A
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4075-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4075-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4075-ZK-E1-AY-VB K4075-ZK-E1-AY-VB数据手册

K4075-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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