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VN10LF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: VN10LF-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VN10LF-VB

VN10LF-VB概述

    VN10LF N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VN10LF 是一款适用于广泛电子应用领域的 N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET凭借其高可靠性、低功耗和出色的开关性能,在各种应用中表现出色。其主要功能包括高电流处理能力、快速响应时间和优异的电气特性,适用于直接逻辑接口、驱动器、电池供电系统等多种应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | 1 500 | µA |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) 2.8 | 3.1 | Ω |
    | 通态漏极电流 | ID(on) 500 mA |
    | 输出电容 | Coss 5 pF |
    | 输入电容 | Ciss | 25 pF |
    | 门槛电荷 | Qg | 0.4 | 0.6 nC |
    | 转导电容 | Crss 2.0

    产品特点和优势


    1. 低输入电容:25 pF,使该器件能够快速切换,适用于高速电路。
    2. 低阈值电压:典型值为2 V,使得该器件容易被低电压驱动而无需缓冲。
    3. 高可靠性:符合RoHS标准,无卤素,适用于现代环保要求。
    4. 高转换率:适合高速操作,具有优异的动态性能。
    5. 优秀的开关速度:25 ns,确保高效能表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直接逻辑接口:TTL/CMOS 等
    - 驱动器:继电器、电磁铁、灯泡、显示器、存储器、晶体管等
    - 电池供电系统
    - 固态继电器
    使用建议:
    - 在设计高速数字电路时,考虑选择具有快速开关特性的器件以减少信号延迟。
    - 对于高频应用,需注意散热设计,防止热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET具有良好的电气兼容性,可与多种标准逻辑电路和电源模块配合使用。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术支持,包括在线文档、视频教程和专业客服热线,确保用户获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何测试VN10LF的静态参数?
    - 答:在25°C下,使用恒定电压源测量VDS,VGS(th),IGSS,IDSS,RDS(on),gfs等参数。详见技术手册第12页。
    2. 问:如何进行动态参数测试?
    - 答:使用脉冲发生器和负载电阻进行测试,通过测量td(on)、td(off)等参数来验证开关速度。参见技术手册第15页。

    总结和推荐


    VN10LF凭借其低功耗、高可靠性和优异的电气特性,在多种应用场景中表现出色。它不仅易于驱动,还具有优异的开关速度和良好的温度稳定性,非常适合用于高速逻辑接口和电源转换等领域。总的来说,推荐将此款MOSFET用于需要高可靠性和高效率的应用场合。
    如需更多技术支持,请联系我们的客服热线:400-655-8788。

VN10LF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VN10LF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VN10LF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VN10LF-VB VN10LF-VB数据手册

VN10LF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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