处理中...

首页  >  产品百科  >  J634-TL-E-VB

J634-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J634-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J634-TL-E-VB

J634-TL-E-VB概述


    产品简介


    本文介绍的是VBsemi公司生产的J634-TL-E型P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件主要应用于负载开关等领域。MOSFET作为一种场效应晶体管,在现代电力电子设备中扮演着重要角色,特别适合用于高频电路和低功耗电路。

    技术参数


    - VDS (V):击穿电压为60V,确保在高电压环境下依然可靠运行。
    - RDS(on) (Ω):在不同条件下,导通电阻分别为:
    - VGS = -10 V时,RDS(on) = 0.061Ω。
    - VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.072Ω。
    - ID (A):连续漏极电流可达-30A。
    - Qg (Typ):典型总栅极电荷为10nC。
    - 封装形式:采用TO-252封装。
    - 绝对最大额定值:包括栅源电压VGS的最大极限为±20V,连续漏极电流ID的最大极限为-30A,最大脉冲漏极电流IDM为-30A,单脉冲雪崩能量EAS为7.2mJ。

    产品特点和优势


    J634-TL-E型MOSFET具备以下优势:
    - 采用TrenchFET®技术:显著降低了导通电阻和开关损耗,使得该器件在高温环境下的表现更为出色。
    - 100% UIS测试:确保了产品在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 广泛的应用领域:尤其适用于需要高频率和高效率的场合,如负载开关和电机控制。

    应用案例和使用建议


    该产品被广泛应用于各种负载开关设计中。例如,在电动工具或小型电机控制应用中,由于MOSFET具备高频率、高效率的特点,因此非常适合这些需要快速响应的应用场景。为了达到最佳性能,建议在设计时注意散热管理,以避免因过热而导致的可靠性问题。

    兼容性和支持


    J634-TL-E型号MOSFET可轻松安装于标准的PCB板上,并且具有良好的散热性能。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括详细的规格文档和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册内容,对于用户常见的疑问,如安装时需要注意的温度范围(-55°C到175°C)或最大功率限制(25°C下为34W),制造商都提供了解决方案,确保用户能够正确使用并维持设备的良好运行状态。

    总结和推荐


    综上所述,J634-TL-E是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,非常适合需要快速响应和高效能输出的应用场景。其优异的导通电阻、高电流处理能力和广泛的温度适应范围使其成为许多工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的用户。

J634-TL-E-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 38A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J634-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J634-TL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J634-TL-E-VB J634-TL-E-VB数据手册

J634-TL-E-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504