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K20D60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: K20D60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20D60-VB

K20D60-VB概述

    K20D60-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K20D60-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N-Channel 650V超级结MOSFET。这款产品采用TO-220AB封装,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),特别适用于各种高功率应用,如电信电源、照明系统、消费电子产品和工业焊接设备等。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 最大耐压(VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流(ID): 13A(TC=100℃)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 60A
    - 瞬态热阻系数: 1.7W/℃
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 367mJ
    - 最大功耗(PD): 208W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 输入电容(Ciss): 2322pF
    - 输出电容(Coss): 105pF
    - 反向传输电容(Crss): 4pF
    - 总栅极电荷(Qg): 71nC
    - 栅源电荷(Qgs): 14nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 33nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 22ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 68ns
    - 下降时间(tf): 42ns
    - 特性:
    - 减小了trr, Qrr和IRRM
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 低开关损耗
    - 雪崩能量等级

    3. 产品特点和优势


    K20D60-VB 的关键特点是低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),这使得它在高频开关应用中表现优异。由于这些特性,它能显著降低开关损耗,提高整体效率。此外,低RDS(on)特性也使其在高功率应用中表现出色。与同类产品相比,K20D60-VB具有更好的性能和更广泛的适用性,尤其是在要求高效能和高可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    K20D60-VB 主要应用于以下几个领域:
    - 电信: 在服务器和通信电源中作为关键组件。
    - 照明: 在高强度放电灯(HID)和荧光灯控制系统中。
    - 消费和计算: 适用于ATX电源供应系统。
    - 工业: 在焊接和电池充电器中。
    - 可再生能源: 用于太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源(SMPS): 广泛用于各类电源转换设备中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应充分考虑K20D60-VB的热阻参数,合理布置散热片,确保良好的热管理。
    - 需要注意的是,长时间在极限条件下运行可能会影响器件寿命,因此需要进行适当的保护措施。

    5. 兼容性和支持


    K20D60-VB 具备与其他标准TO-220封装的MOSFET相同的引脚布局,易于替换和升级现有电路。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后保障,确保客户能够充分利用其性能优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下工作电流下降。
    - 解决方法: 增加外部散热装置,优化电路板布局以改善散热。

    - 问题: 频繁出现关断失效。
    - 解决方法: 检查驱动电路是否稳定,适当调整驱动信号频率和幅值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K20D60-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的应用领域。它的低栅极电荷和低输入电容特性使其在高频开关应用中表现出色。对于需要高效率和高性能的设计师而言,K20D60-VB是理想的解决方案。强烈推荐在高功率电子设备中使用此款产品。

K20D60-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K20D60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20D60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20D60-VB K20D60-VB数据手册

K20D60-VB封装设计

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