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V5865LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: V5865LG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) V5865LG-VB

V5865LG-VB概述

    V5865LG 60V N-Channel TrenchFET Power MOSFET

    1. 产品简介


    V5865LG 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N-Channel 60V 沟槽型功率 MOSFET(TrenchFET)。这款器件以其高耐温能力和低导通电阻(RDS(on))著称,适用于广泛的工业、汽车和消费电子应用。V5865LG 在 175°C 的结温下仍能正常工作,具备出色的热稳定性和可靠性,是高压开关电路的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 60 V |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 100 A @ TC = 25°C |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 100 A |
    | 最大功耗 (PD) | 136 W @ TC = 25°C |
    | 零栅压漏电流 (IDSS) | 1 μA @ TJ = 175°C |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.010 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A |
    | 门-源漏电流 (IGSS) | ± 100 nA @ VDS = 0 V, VGS = ± 20 V |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55°C 至 175°C |

    3. 产品特点和优势


    V5865LG 的主要特点包括:
    - 高耐温能力: 能在高达 175°C 的结温下稳定工作。
    - 低导通电阻: 在标准工作条件下,RDS(on) 仅为 0.010 Ω。
    - 快速开关特性: 出色的动态性能,包括极短的开关时间和高转换率。
    - 高可靠性和稳定性: 适合在恶劣环境下长时间运行,确保长期稳定性能。
    优势在于:
    - 出色的热管理: 具备优异的热阻特性,能够有效散热,确保在高电流应用中的稳定运行。
    - 广泛的应用领域: 可应用于各种高压开关电路,如电机控制、电源管理、新能源汽车等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源转换: 用于开关电源、DC-DC 转换器等。
    - 电机驱动: 适用于电动汽车、电动工具和其他电动机控制系统。
    - 工业自动化: 在各种工业设备中作为开关元件使用。
    使用建议:
    - 设计注意事项: 确保 PCB 布局合理,采用大面积铜箔以提高散热效果。
    - 电路保护: 适当添加过压保护和过流保护措施,避免器件损坏。
    - 温度监控: 特别是在高温环境下工作时,需要进行温度监测和管理,确保器件工作在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    V5865LG 与常见的 PCB 尺寸和标准引脚布局兼容,方便在现有系统中进行替换和升级。
    - 兼容性: 支持 1" x 1" FR4 板表面贴装。
    - 支持: 提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 检查散热设计,增加散热片或改善 PCB 布局。 |
    | 开关频率不稳定 | 重新检查电路布局,特别是栅极电阻和电容的选择。 |
    | RDS(on) 增加 | 检查 VGS 是否达到预期值,重新调整电路。 |
    | 漏电流过大 | 检查电路是否有短路现象,修复相关故障点。 |

    7. 总结和推荐


    V5865LG 是一款高性能、高可靠的 N-Channel 沟槽型功率 MOSFET。其出色的耐温能力、低导通电阻以及快速的开关特性使其在多种高压应用中表现出色。对于需要高效率和高可靠性的应用,V5865LG 是一个理想的选择。
    综上所述,我们强烈推荐 V5865LG 给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。
    服务热线:400-655-8788

V5865LG-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 60A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

V5865LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

V5865LG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 V5865LG-VB V5865LG-VB数据手册

V5865LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
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