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UT4411L-S08-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: UT4411L-S08-T-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4411L-S08-T-VB

UT4411L-S08-T-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET UT4411L-S08-T 技术手册

    1. 产品简介


    UT4411L-S08-T 是一款由VBsemi公司生产的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高效率和可靠性。这种MOSFET主要用于负载开关和电池切换等应用领域。它采用了先进的TrenchFET技术,可以有效降低导通电阻,从而提高工作效率。

    2. 技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | - | 30 | V |
    | 漏极连续电流 (ID) | - | 9.0 | A |
    | 栅极漏极电荷 (Qgd) | 5.5 | 20 | nC |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.018 | 0.024 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 (IDSS) | - | -1 | μA |
    | 体二极管反向恢复时间 (trr) | 22 | 33 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:低导通电阻 (RDS(on)) 有助于减少功耗,提高电路的整体效率。
    - 可靠性高:100% RG测试保证了产品的可靠性和一致性。
    - 环境友好:根据IEC 61249-2-21标准,产品无卤化物,符合环保要求。
    - 快速开关:具备快速开关特性,适合高频应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要高效率、快速响应的应用,如电源管理模块。
    - 电池切换:能够在电池供电系统中实现高效能的开关控制,提升系统的续航能力。
    使用建议:
    - 在设计中,确保选择合适的驱动电压,以获得最佳的性能。
    - 考虑散热设计,尤其是在高温环境下工作时,以避免因过热导致的故障。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UT4411L-S08-T 可与多种电子元件和其他设备兼容,支持广泛的应用场景。
    - 支持:VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,用户可以通过400-655-8788热线联系获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热
    - 解决办法:增加散热片或采用更好的散热设计,确保工作温度不超过最大额定值。
    - 问题:电路不稳定
    - 解决办法:检查电路连接,确保所有引脚正确接地,避免信号干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,UT4411L-S08-T 是一款性能优越、可靠性高的P沟道MOSFET,特别适用于负载开关和电池切换等应用。其低导通电阻、快速开关特性和环保特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐用于需要高效率和可靠性的电子设计项目中。
    以上是对UT4411L-S08-T P沟道30V MOSFET的详细技术手册解析,希望对您的项目有所帮助。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们。

UT4411L-S08-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4411L-S08-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4411L-S08-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4411L-S08-T-VB UT4411L-S08-T-VB数据手册

UT4411L-S08-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
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