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2SK2494-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: 2SK2494-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2494-01-VB

2SK2494-01-VB概述

    2SK2494-01-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2494-01-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的电子元器件主要用于控制电路中的电流,具有低导通电阻、高动态 dv/dt 额定值和快速开关能力。它适用于多种电力电子应用,如电源管理、电动车辆驱动系统以及通信设备中的开关转换等。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 60V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 50A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200A
    - 最大功率耗散 (PD): 150W
    - 最高结温 (TJ): -55至+175°C
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 1.0至2.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS=10V 时为 0.024Ω
    - 在 VGS=4.5V 时为 0.028Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 190pF
    - 输出电容 (Coss): 280pF
    - 门-源电荷 (Qgs): 12nC
    - 门-漏电荷 (Qgd): 43nC

    3. 产品特点和优势


    2SK2494-01-VB 的主要特点和优势包括:
    - 逻辑级门驱动: 可以通过较小的电压进行控制,简化了电路设计。
    - 快速开关: 适合需要快速响应的应用,如高频逆变器。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 降低功耗并提高效率。
    - 符合RoHS指令: 环保无卤素,适用范围广。
    - 紧凑型表面贴装: 便于自动化生产和装配。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 2SK2494-01-VB 常用于电动汽车充电系统中的电池管理、数据中心的电源管理系统、风力发电系统的变流器等。
    - 使用建议: 在使用过程中应注意散热设计,特别是在高温环境下。为了确保最佳性能,应将 MOSFET 安装在具有良好热传导性的散热片上。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 2SK2494-01-VB 支持标准的 TO-220AB 封装,易于与其他标准电子元件配合使用。
    - 支持: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,用户可通过400-655-8788热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致温度过高
    - 解决方案: 确保散热良好,避免在高温环境下过度使用。
    - 问题: 导通电阻增大
    - 解决方案: 检查安装情况和接线是否正确,确保门极电压合适。

    7. 总结和推荐


    2SK2494-01-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有高可靠性、快速响应和低功耗等优点,特别适合于各种电力电子应用。总体而言,它是一款值得推荐的产品,非常适合对性能要求较高的工程师和制造商选择。

2SK2494-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2494-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2494-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2494-01-VB 2SK2494-01-VB数据手册

2SK2494-01-VB封装设计

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