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WFP630-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: WFP630-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP630-VB

WFP630-VB概述

    WFP630 N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFP630 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N-Channel 200 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于初级侧开关应用,其额定击穿电压为 200 V,最大连续漏极电流可达 40 A。适用于高压转换器、电机驱动器和电源管理等高功率电子设备中。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 击穿电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 门阈电压 \( V{GS(th)} \): 2 V 至 4 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 μA (VDS = 200 V, VGS = 0 V)
    - 开态漏极电流 \( I{D(on)} \): 40 A (VDS = 5 V, VGS = 10 V)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 0.270 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A)
    - 0.320 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A, TJ = 125 °C)
    - 0.410 Ω (VGS = 10 V, ID = 5 A, TJ = 175 °C)
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 35 S (VDS = 15 V, ID = 19 A)

    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 800 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 110 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 80 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 8 nC (VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 19 A)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C): 40 A (TC = 25 °C), 12 A (TC = 125 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 18 mJ (L = 0.1 mH)
    - 最大功耗: 121 W (TC = 25 °C)
    - 工作结温范围: -55 °C 至 175 °C

    3. 产品特点和优势


    - 高温耐受性: WFP630 在 175 °C 的结温下仍能正常工作,使其非常适合在高温环境下应用。
    - PWM 优化: 设计上优化了脉宽调制(PWM)性能,确保在高频开关应用中的高效表现。
    - 全面测试: 每个产品都经过 100% 的栅极电阻 (Rg) 测试,确保质量和可靠性。
    - RoHS 合规: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: WFP630 主要应用于电源转换器、电机驱动和逆变器等场合。例如,在一个 200 V 电源转换器中,它可以有效地降低电路中的热损耗并提高效率。
    - 使用建议: 在使用 WFP630 时,需注意散热设计,特别是在高负载情况下。合理选择合适的散热片和风扇可以帮助保持器件在安全温度范围内运行。此外,应避免超出绝对最大额定值的使用条件,以确保长期稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: WFP630 支持标准 TO-220AB 封装,适用于大多数常见的 PCB 设计。它具有良好的与其他电子元器件的兼容性。
    - 支持和维护: VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、技术文档和技术咨询。用户可以通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 确保安装足够的散热装置,并遵循推荐的散热设计指导。
    - 问题: 功耗过大。
    - 解决方案: 使用适当的冷却措施,并根据实际工作条件调整电路设计。
    - 问题: 漏电流过高。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确保正确的栅极电阻和电压水平。

    7. 总结和推荐


    WFP630 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合在高功率电子设备中应用。其高温耐受性和 PWM 优化性能使其成为电源转换器和电机驱动器的理想选择。如果您需要一款能够在苛刻条件下工作的 MOSFET,WFP630 是一个非常值得推荐的产品。

WFP630-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP630-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP630-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP630-VB WFP630-VB数据手册

WFP630-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
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