处理中...

首页  >  产品百科  >  HM6N70K-VB

HM6N70K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: HM6N70K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM6N70K-VB

HM6N70K-VB概述


    产品简介


    HM6N70K是一款N沟道超结功率MOSFET,主要应用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。它采用TO-252封装形式,具备低门极电荷(Qg)和高可靠性等特点,能够简化驱动要求并提高整体系统的效率和稳定性。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 700 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 2.4 Ω (在VGS = 10 V时)
    - 最大总栅极电荷(Qg(max)): 15 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 3 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 6 nC
    - 重复性脉冲漏电流(IDM): 8.0 A
    - 最大重复性雪崩电流(IAR): 2 A
    - 最大重复性雪崩能量(EAR): 4 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 60 W (在TC = 25 °C时)
    - 最大结到外壳热阻(RthJC): 2.1 °C/W
    - 结到环境热阻(RthJA): 65 °C/W
    - 静态门极-源极阈值电压(VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 零门极电压漏电流(IDSS): 25 µA (在VDS = 700 V时)
    - 动态输入电容(Ciss): 330 pF
    - 动态输出电容(Coss): 40 pF
    - 有效输出电容(Coss eff.): 84 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 15 nC
    - 开关时间(td(on)、tr、td(off)、tf): 14 ns、20 ns、34 ns、18 ns
    - 雪崩能量(EAS): 165 mJ

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):这使得驱动要求更简单,从而减少了驱动电路的设计复杂度和成本。
    2. 增强的门极、雪崩和动态dv/dt坚固性:确保了在高压和高频应用中的可靠性和耐用性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压及电流:提供了准确的参数以确保在不同工作条件下的稳定性能。
    4. 符合RoHS标准:满足环保要求,适用于各种绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其高耐压和低导通电阻特性,在高效转换过程中表现出色。
    - 逆变器:能够在高频下高效工作,减少能源浪费。
    - 电机驱动:具备良好的热稳定性和高可靠性,适合驱动大功率电机。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑门极电荷的影响,以优化整体系统的性能。
    - 确保散热系统设计良好,避免过高的温度导致的性能下降。
    - 在高频应用中,应注意电磁干扰(EMI),可通过优化电路布局来减轻。

    兼容性和支持


    HM6N70K具有较强的兼容性,可以与其他标准MOSFET驱动器和控制器搭配使用。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指导和技术文档,以帮助客户在使用过程中遇到问题时得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:系统在高温环境下运行时出现过热现象。
    - 解决方案:优化散热设计,确保良好的空气流通和散热片的有效使用。

    2. 问题:系统在启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查驱动电路的布局,避免高频信号的干扰,并适当增加滤波电容。

    总结和推荐


    HM6N70K凭借其出色的电气特性和可靠的性能,适用于多种高压、高频的应用场景。其低门极电荷和高耐温特性使其在严苛的工作环境中依然表现出色。综上所述,强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性的电子设备中。

HM6N70K-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM6N70K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM6N70K-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM6N70K-VB HM6N70K-VB数据手册

HM6N70K-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336