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60N08L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,90A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 60N08L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60N08L-TF1-T-VB

60N08L-TF1-T-VB概述

    60N08L-TF1-T-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    60N08L-TF1-T-VB 是一种 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有出色的热稳定性和高可靠性。该器件采用 TO-220 FULLPAK 封装,适用于各种电力电子应用,如开关电源、马达驱动和电动汽车充电系统等。TrenchFET® 功率 MOSFET 的设计使该产品具备高效的电流处理能力和低导通电阻。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -20 +20 | V |
    | 漏源电压 | VDS 100 | V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 150 °C) | ID 90 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 287 | A |
    | 稳态源漏二极管最大电流 | IS 90 | A |
    | 源漏二极管正向电压 | VSD | 1.0 1.5 | V |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) 120 A |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on)| 0.008 0.021 | Ω |
    | 门槛电压 | VGS(th)| 1 | 3 V |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:具有较低的导通电阻(RDS(on)),能在高电流条件下保持较低的功率损耗。
    - 高可靠性:工作温度范围广(-55°C 到 175°C),确保在极端环境下的稳定性能。
    - 环保:符合 RoHS 和无卤素标准,有利于环境保护和健康安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其低导通电阻和高耐压能力,特别适合用于高性能的开关电源系统中,以实现更高的效率和更稳定的输出。
    - 马达驱动:作为电机驱动系统的开关元件,可以提供高效的电流控制和保护功能。
    - 建议:在高温环境下使用时,需注意散热管理,确保工作温度不超过最大值。对于开关电源应用,可以考虑并联多个 MOSFET 以分摊电流,从而提高整体效率和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 60N08L-TF1-T-VB 与大多数现有的电源管理系统兼容,可以方便地集成到现有设计中。
    - VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括设计咨询、故障排查和维护支持等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何防止栅极过电压损坏?
    - 解决方案:在电路设计中添加栅极电阻或稳压器,确保 VGS 不超过规定值。
    - 问题:如何改善散热效果?
    - 解决方案:使用合适的散热片或散热器,同时保证良好的空气流通。

    7. 总结和推荐


    总体而言,60N08L-TF1-T-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,非常适合于要求苛刻的应用场景。它的低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其成为电力电子领域中的理想选择。强烈推荐在需要高效率和稳定性的应用中使用该产品。
    如需更多技术支持或详细资料,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问我们的网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

60N08L-TF1-T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 90A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

60N08L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60N08L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60N08L-TF1-T-VB 60N08L-TF1-T-VB数据手册

60N08L-TF1-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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