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NCE6007AS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: NCE6007AS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE6007AS-VB

NCE6007AS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    本产品是一款高性能N沟道功率MOSFET,主要用于低侧同步整流器操作。该器件符合IEC 61249-2-21标准中对卤素无添加的要求,适合在各类高可靠性电子设备中使用。它特别适用于冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器等领域,能有效提升电路的效率和稳定性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 7.6A
    - TC = 70°C: 6.8A
    - TA = 25°C: 6.1A
    - TA = 70°C: 4.8A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 25A
    - 持续源极-漏极二极管电流 (TC = 25°C): 4.2A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 11.2mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C):
    - TC = 25°C: 5W
    - TC = 70°C: 3.2W
    - TA = 25°C: 2.5W
    - TA = 70°C: 1.6W
    - 热阻参数
    - 最大结到环境的热阻 (RthJA):
    - 通常值: 38°C/W
    - 最大值: 50°C/W
    - 最大结到脚的热阻 (RthJF):
    - 通常值: 20°C/W
    - 最大值: 25°C/W
    - 电气特性
    - 栅电荷 (Qg):
    - VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 4.6A: 21nC
    - VDS = 30V, VGS = 4.5V, ID = 4.6A: 10.5nC
    - 峰值功率损耗 (PD):
    - TJ(max) = 150°C, RthJC = 50°C/W: 3.2W
    - 热阻温升:
    - 在连续条件下为38°C/W,在短脉冲条件下最高可达50°C/W。

    产品特点和优势


    - 独特功能
    - 采用TrenchFET®技术,能够显著降低导通电阻,提升整体性能。
    - 具有良好的热稳定性和较长的工作寿命,可以在恶劣环境中保持高效运行。

    - 市场竞争力
    - 优秀的热阻参数使得产品在高温环境下也能保持出色的性能。
    - 较低的栅电荷和快速的开关时间使其在高频应用中表现出色。
    - 产品广泛应用于CCFL逆变器、直流-直流转换器和电源管理模块等场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器:由于具有出色的耐高压特性和低漏电流,使得其在逆变器中作为开关元件时非常可靠。
    - 直流-直流转换器:能够在高频条件下实现高效的能量转换,满足各种功率变换需求。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,请根据具体应用场景选择合适的驱动电阻(Rg),并参考数据表中的推荐值。
    - 在设计PCB时,考虑将器件放置在散热良好的位置,并增加铜箔面积以增强散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - 该MOSFET可与多种控制芯片和驱动器配套使用,提供广泛的适用范围。

    - 支持和维护
    - VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排查手册。
    - 客户可通过公司提供的服务热线(400-655-8788)获得专业的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致器件过热。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或加强外部冷却机制;同时调整栅极电阻以优化开关速度。
    - 问题2: 器件出现异常关断。
    - 解决方案: 检查外围电路是否有短路或接触不良的情况,确保所有连接正确无误。
    - 问题3: 长期使用后性能下降。
    - 解决方案: 定期检查工作温度和环境条件,及时进行维护或更换老化部件。

    总结和推荐


    综合评估
    - N-Channel 60-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能参数和广泛的适用范围,在多个关键领域展现出强大的竞争力。
    - 其出色的热稳定性和低漏电流使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
    推荐使用
    - 推荐该产品用于需要高可靠性、优异电气特性的电源管理和逆变器系统中。其全面的支持和服务体系也为用户的长期应用提供了保障。

NCE6007AS-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.54V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7.6A
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE6007AS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE6007AS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE6007AS-VB NCE6007AS-VB数据手册

NCE6007AS-VB封装设计

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