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PF10N40HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: PF10N40HA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PF10N40HA-VB

PF10N40HA-VB概述

    N-Channel 550V (D-S) Power MOSFET PF10N40HA 技术手册

    1. 产品简介


    PF10N40HA 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,专为各类高效率电力转换应用设计。这款 MOSFET 具备低导通电阻、快速开关特性,以及卓越的耐压能力和鲁棒性。其广泛应用于消费电子产品(如 LCD 或等离子电视)、服务器和电信电源供应、工业焊接和感应加热、电机驱动以及电池充电等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 550 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.26 Ω @ 25 °C
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 150 nC
    - 输入电容 (Ciss): 3094 pF
    - 输出电容 (Coss): 152 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 13 pF
    - 有效输出电容 (时间相关) (Co(tr)): 189 pF
    - 最大脉冲电流 (ISM): 80 A
    - 最大结温 (TJ): 150 °C
    - 热阻 (RthJA): - 40 °C/W
    - 热阻 (RthJC): - 0.45 °C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2 - 4 V

    3. 产品特点和优势


    - 低面积特定导通电阻: 有助于降低功率损耗,提升整体效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了电容切换损失,适合高频应用。
    - 高鲁棒性: 适用于工业应用,如焊接和感应加热。
    - 快开关速度: 降低了开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 确保在大电流下的低损耗。
    - 简单的栅极驱动电路: 易于集成,减少外围电路复杂度。
    - 低 FOM (Ron x Qg): 表示在高效率和低成本之间的平衡。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子: 如 LCD 或等离子电视,用于开关电源控制。
    - 工业焊接: 利用其高鲁棒性和快速响应时间。
    - 电池充电: 可以快速而高效地进行充电过程。
    - 服务器和电信电源: 高效能电力转换,适用于数据中心等高要求场合。
    - 使用建议: 在高温环境下工作时,应注意散热,确保良好的热管理;在高频应用中,应考虑电容效应,优化电路设计。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与大多数标准电子设备和系统兼容。
    - 厂商支持: 提供详细的技术支持和维护服务,包括详尽的数据手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 额定电压能否满足应用需求?
    - 解决方案: 确认应用中的最大电压不超过 550 V。
    - 问题2: 如何优化散热?
    - 解决方案: 使用合适的散热片或冷却风扇,并确保良好的空气流通。
    - 问题3: 开关过程中是否有过冲?
    - 解决方案: 使用 RC 吸收网络或箝位电路来限制过冲。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PF10N40HA 功率 MOSFET 是一款极具竞争力的产品,其在效率、鲁棒性和成本方面具有显著优势。它非常适合于高要求的应用场合,如消费电子产品、工业焊接和电池充电等。推荐在这些应用场景中使用此款 MOSFET。

PF10N40HA-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PF10N40HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PF10N40HA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PF10N40HA-VB PF10N40HA-VB数据手册

PF10N40HA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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