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JCS7N60F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N60F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N60F-O-F-N-B-VB

JCS7N60F-O-F-N-B-VB概述

    JCS7N60F-O-F-N-B N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS7N60F-O-F-N-B 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种工业应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明(高强度放电灯HID、荧光灯管)以及各种工业设备。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高效能电源管理的理想选择。

    技术参数


    - 最高电压(VDS):650V @ TJ max.
    - 最大连续漏极电流(ID):TC = 25°C 时为 1.6 A,TC = 100°C 时为 5.6 A
    - 导通电阻(RDS(on)):25°C 时典型值为 1Ω @ VGS = 10V
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 12 nC @ VGS = 10V
    - 输入电容(Ciss):最大值为 28 pF
    - 重复脉冲雪崩能量(EAS):最大值为 97 mJ

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    2. 低RDS(on):降低导通损耗,提高系统整体效率。
    3. 高耐压能力:适合在高压环境下稳定运行。
    4. 高可靠性:能够承受重复的雪崩事件,确保长期稳定性。
    5. 快速开关:得益于低电容特性,实现快速开关转换,减少电磁干扰(EMI)。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:高可靠性要求下,确保长时间稳定工作。
    - 照明系统:通过降低功耗和提高效率,提升系统的能源利用率。
    - 工业设备:适用于需要高可靠性和高效率的场合。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,确保驱动电路具备足够的栅极驱动能力以减小栅极充电时间。
    2. 使用适当的散热措施以保持温度在安全范围内,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    - 该产品与其他标准TO-220封装的器件具有良好的兼容性。
    - 厂商提供详尽的技术支持和维护文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 栅极电荷过高
    - 解决方案:使用更低RDS(on)的产品型号或调整驱动电路以减少栅极充电时间。

    - Q2: 高温导致性能下降
    - 解决方案:增加散热片或采用水冷等方式,确保温度不超过最大额定值。

    总结和推荐


    JCS7N60F-O-F-N-B MOSFET凭借其出色的性能参数和可靠性,在多个应用场景中表现出色。特别是其低导通电阻和高耐压能力,使其成为高压应用的理想选择。考虑到其卓越的性能和广泛应用范围,我们强烈推荐该产品用于电源管理和高可靠性需求的应用中。

JCS7N60F-O-F-N-B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N60F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N60F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N60F-O-F-N-B-VB JCS7N60F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS7N60F-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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