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IRL3714SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IRL3714SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3714SPBF-VB

IRL3714SPBF-VB概述

    IRL3714SPBF-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL3714SPBF-VB 是一款 N 沟道 30V(漏-源)MOSFET,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。这种器件适用于多种应用场景,如电源开关、服务器、DC/DC 转换器等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175°C):
    - TA = 25°C 时:46A
    - TA = 70°C 时:21A
    - 脉冲漏电流(IDM): 210A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8mJ
    - 结到环境的最大热阻(RthJA): 32-40°C/W
    - 静态特性:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 2A 时:0.012Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 37A 时:0.018Ω
    - 阈值电压(VGS(th)): 1.0-3.0V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 120pF
    - 输出电容(Coss): 255pF
    - 反向转移电容(Crss): 170pF
    - 总栅极电荷(Qg): 25nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 18-27ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 55-83ns
    - 热特性:
    - 最大结温(TJ): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    IRL3714SPBF-VB 的独特之处在于它采用了 TrenchFET® 技术,能够在较低的栅极电压下提供低导通电阻,从而实现更高的能效。此外,该器件还通过了所有 Rg 和 UIS 测试,并且符合 RoHS 指令 2011/65/EU,表明其具有出色的可靠性和环保性能。

    应用案例和使用建议


    IRL3714SPBF-VB 广泛应用于电源管理、服务器和通信系统中。例如,在 OR-ing 应用中,它可以有效控制电源切换,减少损耗并提高系统的整体效率。在使用过程中,建议在高温环境下加强散热措施,以保证其长期稳定运行。

    兼容性和支持


    IRL3714SPBF-VB 封装为 D2PAK (TO-263),具有良好的机械强度和散热性能。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,确保客户能够获得最佳的应用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品在高温度环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 确保电路板安装足够的散热片,降低工作环境温度,或选择更大功率等级的产品。
    - 问题: 产品在负载切换时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 仔细检查负载条件,确保 MOSFET 的额定电流满足需求,并合理配置栅极驱动电路。

    总结和推荐


    IRL3714SPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高可靠性、高能效的应用场合。其优异的电气特性和广泛的应用范围使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在各种高要求的应用环境中采用这款产品。

IRL3714SPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3714SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3714SPBF-VB数据手册

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IRL3714SPBF-VB封装设计

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