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HUFA76639P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: HUFA76639P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76639P3-VB

HUFA76639P3-VB概述

    HUFA76639P3-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    HUFA76639P3-VB 是一款高性能的N沟道100V耐压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®工艺制造,具有低导通电阻(rDS(on))和高热稳定性。这款MOSFET广泛应用于各种直流到直流转换器及电源管理电路中。

    技术参数


    以下是HUFA76639P3-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 基本特性:
    - 耐压:VDS = 100V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20V
    - 热稳定性:最高结温TJ = 175°C
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流:ID(TC=25°C) = 70A,ID(TC=125°C) = 35A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 145A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 60mJ
    - 最大功率耗散:PD(TC=25°C) = 355W,PD(TA=25°C) = 3.35W
    - 电容参数:
    - 输入电容:Ciss = 18pF
    - 输出电容:Coss = 210pF
    - 反向传输电容:Crss = 110pF
    - 栅极充电参数:
    - 总栅极电荷:Qg = 90nC
    - 栅极-源极电荷:Qgs = 23nC
    - 栅极-漏极电荷:Qgd = 34nC

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 工艺:该技术显著降低了导通电阻(rDS(on)),使得器件具备更高的效率。
    2. 高结温稳定性:能够在175°C的极端温度下稳定工作,适合高温环境下应用。
    3. 低热阻封装:优秀的热设计确保了高效散热,延长了使用寿命。
    4. 严格测试:所有器件均经过100%的Rg测试,保证了产品质量的一致性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    HUFA76639P3-VB 主要应用于隔离式DC/DC转换器。根据手册中的应用示例,它可以被用于各类需要高效率、高可靠性的电源系统中。例如,在服务器、通信设备和工业自动化系统中。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 设计电路时需考虑其输入电容和输出电容的影响,合理选择外部补偿电容以提高系统的稳定性和响应速度。

    兼容性和支持


    HUFA76639P3-VB 具有良好的互操作性,可以与其他标准电路和控制器无缝集成。制造商提供详尽的技术支持文档,包括应用指南、设计软件工具以及专业工程师的支持服务。用户可以通过其官方网站和技术热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 如何处理高温下的热管理问题?
    - A1: 使用合适的散热器或散热片,同时保证良好的气流和通风条件。

    - Q2: 为何需要进行栅极驱动电阻的选择?
    - A2: 合理选择栅极驱动电阻可以有效减少开关损耗,提高整体效率。一般情况下,可选择阻值范围为0.5Ω~3.1Ω。

    总结和推荐


    综上所述,HUFA76639P3-VB是一款高可靠性、高性能的N沟道MOSFET,适用于广泛的电力转换和控制应用。其优异的热稳定性、低导通电阻和严格的测试标准使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐将其用于需要高效率和可靠性的场合。

HUFA76639P3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HUFA76639P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76639P3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76639P3-VB HUFA76639P3-VB数据手册

HUFA76639P3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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