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K2414-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K2414-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2414-Z-E1-AZ-VB

K2414-Z-E1-AZ-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 是一款适用于直流到直流转换器、直流到交流逆变器和电机驱动等多种应用的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它采用了TrenchFET® 技术,能够提供卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 60 V |
    | 漏极连续电流 | 18 A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 25 A |
    | 阈值电压 | 1.0 | 3.0 V |
    | 开启状态下漏极电流 | 20 A |
    | 开启状态下的漏源电阻 | 0.073 0.085 | Ω |
    | 输入电容 | 660 pF |
    | 输出电容 85 pF |
    | 反向传输电容 40 pF |
    | 总栅极电荷 | 19.8 | 30 nC |
    | 栅极电阻 | 0.4 | 2 | 4 | Ω |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET 技术:提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保器件的可靠性和稳定性。
    - 零门电压漏极电流:保证在无门电压条件下依然有较低的漏极电流,增强系统的安全性。
    - 高击穿电压和低阈值电压:使得该 MOSFET 在高压应用中表现出色。
    - 低热阻:具有出色的散热能力,适合各种苛刻的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流到直流转换器:在通信电源模块中作为核心功率控制组件。
    - 直流到交流逆变器:用于工业自动化控制系统中电机的逆变和调速。
    - 电机驱动:例如工业机械的伺服系统,能够快速响应并提供稳定的驱动电流。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到其工作时的热耗散,建议使用大面积散热片或散热器来提高冷却效率。
    - 电路布局:尽量减少寄生电感,采用短且宽的电源线,以提高开关性能和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与市场上主流的直流到直流转换器、逆变器和电机驱动控制器兼容,方便用户集成到现有系统中。
    - 技术支持:台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括安装指南、故障排除手册和售后服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗高 | 检查电路布局,优化栅极驱动电阻。 |
    | 热失控 | 确保散热良好,使用合适的散热片。 |
    | 无法启动 | 检查门电压是否正确,检查电路连接。|

    总结和推荐


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 在直流到直流转换器、逆变器及电机驱动等领域展现出显著的优势。其卓越的性能、可靠的测试认证和广泛的适用范围使其成为众多电子系统中的理想选择。对于需要高性能功率控制元件的应用场合,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。
    通过上述分析,我们可以清楚地了解这款N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的特点及其在不同应用场景中的优势,相信能为相关领域的工程师和设计师提供有价值的参考。

K2414-Z-E1-AZ-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2414-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2414-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2414-Z-E1-AZ-VB K2414-Z-E1-AZ-VB数据手册

K2414-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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