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K2687-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: K2687-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2687-01-VB

K2687-01-VB概述

    K2687-01-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2687-01-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道30V MOSFET(场效应晶体管),属于高性能TrenchFET®系列。此产品具有低热阻封装、栅极电阻和雪崩测试全检等特性,适用于多种电子电路应用中,如电源转换、电机控制和汽车电子系统等。

    技术参数


    K2687-01-VB的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V时:0.007Ω
    - VGS = 4.5V时:0.010Ω
    - 连续漏电流(ID):70A
    - 封装形式:TO-220AB
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏电流(ID):70A(TC=25℃)
    - 最大功率耗散(PD):71W(TC=25℃)

    产品特点和优势


    K2687-01-VB具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 高可靠性:采用TrenchFET®工艺,确保卓越的性能和耐用性。
    2. 低热阻封装:提供出色的散热性能,有助于提高系统的整体稳定性和寿命。
    3. 全面测试:100%的栅极电阻(Rg)和雪崩耐受性(UIS)测试,确保产品的质量和可靠性。
    4. 快速开关性能:低导通电阻和优秀的动态特性,使其非常适合于高速开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    K2687-01-VB可广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理和各种电子控制装置中。例如,在电源适配器中,它可以作为主开关管,实现高效的能量转换;在电机控制系统中,可以用于控制电机的启停和速度调节。
    使用建议:
    - 确保设计的电路布局合理,避免不必要的寄生电容和电感。
    - 使用适当的散热措施,如散热片或散热器,以确保MOSFET的正常工作温度范围。
    - 在高速开关应用中,应注意并适当选择合适的栅极电阻(Rg)值,以优化开关时间和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K2687-01-VB与常见的PCB设计和电子系统兼容性良好,可以在标准的工业环境中可靠运行。制造商提供了详尽的技术文档和客户支持,包括但不限于技术支持热线(400-655-8788)和技术资料下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止过温导致的损坏?
    - 答:确保良好的散热设计,合理布置散热器或使用外部冷却风扇。根据数据手册,最大工作温度为175℃。
    2. 问:如何处理漏电流超标问题?
    - 答:检查电路连接和负载情况,确认没有短路或其他异常现象。必要时更换更合适的MOSFET型号。
    3. 问:如何选择合适的栅极电阻(Rg)值?
    - 答:根据应用需求和开关速度要求来确定。较低的Rg值可以提高开关速度,但会增加功耗。可以通过调整Rg值来进行优化。

    总结和推荐


    K2687-01-VB N-Channel 30V MOSFET凭借其卓越的性能、可靠性和广泛的适用范围,成为众多电子设计项目的理想选择。其低导通电阻和出色的动态特性使得它能够满足苛刻的应用需求。因此,强烈推荐在需要高效、高速开关性能的场合使用这款产品。
    希望以上内容能够帮助您深入了解K2687-01-VB N-Channel 30V MOSFET的特点和应用。如果您有任何进一步的问题或需要更多技术支持,请联系我们的客户服务团队(400-655-8788)。

K2687-01-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2687-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2687-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2687-01-VB K2687-01-VB数据手册

K2687-01-VB封装设计

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