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P6NA80FI-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: P6NA80FI-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P6NA80FI-VB

P6NA80FI-VB概述

    P6NA80FI N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    P6NA80FI 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET(场效应晶体管)。该器件适用于多种高电压应用场合,如电源转换、马达控制和 LED 照明等。它的核心特点是具备高动态 dV/dt 额定值、重复性雪崩额定值和快速开关性能,同时易于并联使用,为设计者提供了更广泛的灵活性和可靠性。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):800 V
    - 导通电阻 (RDS(on))(VGS=10 V):1.2 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):200 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):24 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):110 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID)(TC=25°C):5 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A
    - 重复性雪崩电流 (IAR):7.8 A
    - 重复性雪崩能量 (EAR):19 mJ
    - 最高结温 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):≤ 40°C/W

    产品特点和优势


    1. 动态 dV/dt 额定值:能够处理高频率的开关操作。
    2. 重复性雪崩额定值:增强器件的耐用性和可靠性。
    3. 快速开关:显著提高系统效率。
    4. 简单驱动需求:降低了对外部驱动电路的要求。
    5. 隔离中央安装孔:便于散热和封装设计。
    6. 符合 RoHS 标准:环保设计,满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    P6NA80FI 广泛应用于开关电源、逆变器、DC/DC 转换器和电机驱动等场合。例如,在高频开关电源中,其快速开关性能可以显著降低损耗;在电机驱动应用中,其高的重复雪崩能量可以有效应对瞬态过压情况。建议在使用时注意:
    - 在选择栅极驱动器时,考虑其 dV/dt 控制能力。
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下长时间工作时。
    - 遵循正确的焊接温度推荐(如峰值焊接温度 300°C,持续时间 10 秒)。

    兼容性和支持


    P6NA80FI 设计用于与主流的高压和高速设备兼容,如 O-220AB 和 O-252 封装形式。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的规格书和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何避免栅极损坏?
    - 解决方案:确保合适的栅极驱动电压范围(VGS = ±30 V),并使用适当的栅极电阻。

    - 问题二:在高温环境下工作,器件如何保持稳定?
    - 解决方案:使用良好的散热设计,如增加散热片或风扇,确保器件工作温度不超过最大允许值。

    总结和推荐


    P6NA80FI 凭借其卓越的动态特性和可靠的设计,成为高电压应用的理想选择。其快速开关能力和高度重复性雪崩额定值使其在复杂的工作环境中表现出色。总体来说,我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高效能的应用场合。

P6NA80FI-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P6NA80FI-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P6NA80FI-VB数据手册

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P6NA80FI-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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