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NTP65N02R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: NTP65N02R-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP65N02R-VB

NTP65N02R-VB概述

    NTP65N02R N-Channel 30V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTP65N02R 是一种 N 沟道 30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TrenchFET® 技术制造。它主要用于功率转换、电机驱动、电源管理等领域,具有高效能、低损耗的特点。其主要特征包括低热阻封装和高可靠性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 70 | - | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | - | - | 250 | A |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.007 | - | Ω |
    | 前向压降(二极管) | VSD | - | - | 1.5 | V |
    | 集电极存储温度范围 | TJ, Tstg| -55 | - | 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低热阻封装:采用低热阻设计,提高散热效率,延长使用寿命。
    - 高可靠性:100% 过程测试,确保每颗器件的可靠性。
    - 高效的功率转换:通过 TrenchFET® 技术实现低导通电阻和高开关速度。
    - 良好的温度适应性:能在广泛的温度范围内正常工作,适用于严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    NTP65N02R MOSFET 广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动器和电源管理电路中。建议在高功率应用中使用大尺寸散热片以提高热稳定性。
    典型应用案例:
    - 直流-直流转换器:作为主开关器件,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动器:提供快速可靠的开关控制,减少能量损失。
    - 电源管理:实现精准的电流控制和保护功能。
    使用建议:
    - 确保适当的栅极驱动电压和电流,以避免过高的栅极电压导致损坏。
    - 使用合适的散热措施,如散热片或风扇,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    NTP65N02R MOSFET 与常见的 PCB 尺寸和安装标准兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、技术咨询和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何正确安装 NTP65N02R?
    - 解决方案:确保焊盘清洁且平整,按照制造商提供的焊接指南进行操作,避免过度加热。
    问题2:MOSFET 在高温环境下表现不佳怎么办?
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或改进 PCB 散热设计,以降低工作温度。
    问题3:如何避免 MOSFET 因过压而损坏?
    - 解决方案:在设计电路时加入适当的保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)和保险丝,以防止电压尖峰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTP65N02R MOSFET 在功率转换和电机驱动等应用中表现出色。它的低热阻设计和高效性能使其成为这些领域的理想选择。强烈推荐在高可靠性要求的应用中使用此产品。对于需要高效能量转换和良好温度适应性的场合,NTP65N02R 是一个值得信赖的选择。
    如有进一步的技术咨询或支持需求,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTP65N02R-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP65N02R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP65N02R-VB数据手册

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NTP65N02R-VB封装设计

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