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KHB7D5N60P1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: KHB7D5N60P1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB7D5N60P1-VB

KHB7D5N60P1-VB概述

    KHB7D5N60P1 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    KHB7D5N60P1 是一款适用于高功率开关应用的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低栅极电荷(Qg)和高雪崩耐受性,使其成为电源管理和转换的理想选择。它广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他高速电力开关系统中。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 600V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.780Ω @ VGS = 10V
    - 最大总栅极电荷(Qg): 49nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 13nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 20nC
    - 最大漏极电流(ID): 8.0A @ TC = 25°C, 5.8A @ TC = 100°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290mJ
    - 最大功率耗散(PD): 170W @ TC = 25°C
    - 热阻(RthJA): 62°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:这降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性:提高了可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    - 全面的电容和雪崩电压电流特性:确保了器件在各种工作条件下的稳定性和耐用性。
    - 适用于多种拓扑结构:支持主动钳位正向变换器、主开关等多种拓扑结构,提高了应用的灵活性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关模式电源中作为主开关器件,用于实现高效能源转换。
    - 在不间断电源中提供可靠的电力转换和调节功能。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的输出能力足够,以满足器件的驱动要求。
    - 考虑到高功率损耗,建议采用散热器进行有效的热管理。
    - 使用时应遵循制造商的推荐焊接温度(峰值温度 300°C),以确保可靠焊接。

    兼容性和支持


    KHB7D5N60P1 与常见的电源转换拓扑结构兼容,例如主动钳位正向变换器。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品认证、热管理指南和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 驱动电路不够强大,无法驱动器件。
    - 解决方案: 确保驱动电路的输出电流和电压满足器件的驱动要求,必要时可以增加驱动器的功率。

    - 问题: 散热不良导致器件过热。
    - 解决方案: 使用合适的散热器,并确保良好的热管理措施,如优化PCB布局,降低杂散电感等。

    总结和推荐


    KHB7D5N60P1 N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,特别适合于高功率开关应用。其低栅极电荷和高雪崩耐受性使它成为电源管理和转换的理想选择。对于需要高效能源转换和高可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用 KHB7D5N60P1。
    以上是对 KHB7D5N60P1 的全面技术手册解析。通过这些详细的技术参数、应用案例和使用建议,用户可以更好地了解和应用这款高性能 MOSFET。

KHB7D5N60P1-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB7D5N60P1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB7D5N60P1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB7D5N60P1-VB KHB7D5N60P1-VB数据手册

KHB7D5N60P1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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