处理中...

首页  >  产品百科  >  FIR3N80LG-VB

FIR3N80LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: FIR3N80LG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIR3N80LG-VB

FIR3N80LG-VB概述


    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的FIR3N80LG N-Channel MOSFET。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点,适用于多种高功率和高频应用场合。该器件特别适合用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统和太阳能光伏逆变器)等。

    技术参数


    静态参数
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为2.38Ω(在25°C,VGS=10V)
    - 门源电压阈值(VGS(th)):典型值2.0V,最大值4.0V
    - 门源泄漏电流(IGSS):±100nA(VGS=±20V),±1μA(VGS=±30V)
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):最大值315pF
    - 输出电容(Coss):最大值20pF
    - 反向传输电容(Crss):最大值6pF
    - 有效输出电容(能量相关)(Co(er)):最大值13pF
    - 有效输出电容(时间相关)(Co(tr)):最大值45pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值19.6nC
    极限参数
    - 漏源电压(VDS):最大值800V
    - 栅源电压(VGS):最大值±30V
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):在10V VGS时,25°C TC为2.8A,100°C TC为1.8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):14mJ
    - 最大功耗(PD):62.5W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    FIR3N80LG N-Channel MOSFET具备多种显著优点,使其在众多应用中表现出色:
    - 低导通电阻:RDS(on)值低,使得器件在工作时损耗更小,能效更高。
    - 低输入电容:Ciss值低,有助于减少信号延迟和提高开关速度。
    - 低栅极电荷:Qg和Qgs值低,进一步降低了驱动功率需求。
    - 高可靠性:耐雪崩性能出色,能够承受高电压冲击。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下保持稳定运行,适用于广泛的工业应用。

    应用案例和使用建议


    FIR3N80LG MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中,具体应用包括服务器和电信电源、工业电机驱动、焊接设备、可再生能源系统及太阳能光伏逆变器等。针对不同应用环境,建议采取如下措施:
    - 选择合适的驱动电路:考虑到Qg和Qgs的值较低,使用低功耗驱动器可以节省能源并降低系统成本。
    - 优化散热设计:考虑到其较高的功耗和宽泛的工作温度范围,需确保良好的散热机制以避免过热损坏。
    - 保护电路设计:鉴于其出色的耐雪崩能力,需要结合系统要求设计相应的保护电路,防止过压损坏。

    兼容性和支持


    FIR3N80LG MOSFET采用DPAK封装形式,与其他电子元器件和设备的兼容性良好。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助中心、技术支持热线及客户服务团队,随时解答用户的疑问并提供专业的技术指导。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确安装该器件?
    - A:确保正确的安装方向,遵循制造商提供的安装指南进行操作,防止反向安装导致的损坏。
    - Q:怎样优化系统的整体性能?
    - A:可以通过选用匹配的驱动电路和优化散热设计来提升系统效率和稳定性。
    - Q:遇到过压情况时该如何处理?
    - A:建议配置适当的保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)等,以吸收可能产生的过电压。

    总结和推荐


    总体来看,FIR3N80LG N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的电力电子器件,非常适合用于各种高功率应用。它凭借低导通电阻、低输入电容和优异的耐雪崩性能,在电力管理和控制方面表现卓越。结合其广泛的适用性和供应商提供的优质支持,强烈推荐在电力电子系统中使用此产品。

FIR3N80LG-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FIR3N80LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIR3N80LG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FIR3N80LG-VB FIR3N80LG-VB数据手册

FIR3N80LG-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 48.59
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336