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FQPF6N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FQPF6N80-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF6N80-VB

FQPF6N80-VB概述


    产品简介


    产品名称:FQPF6N80-VB
    产品类型: N-Channel 800V(D-S)Super Junction Power MOSFET
    主要功能:
    - 高速开关
    - 重复雪崩耐受
    - 简单的驱动需求
    - 符合RoHS标准
    应用领域:
    - 工业控制
    - 电源转换
    - 电机驱动
    - 充电器

    技术参数


    静态参数:
    - 漏源击穿电压 VDS:800V
    - 门限电压 VGS(th):2.0V 至 4.0V
    - 门源漏电流 IGSS:±100nA
    - 零栅压漏电流 IDSS:最大 100μA(VDS = 800V),最大 500μA(VDS = 640V)
    - 导通电阻 RDS(on):1.2Ω(VGS = 10V)
    - 正向跨导 gfs:5.6S(VDS = 100V)
    动态参数:
    - 输入电容 Ciss:3100pF(VGS = 0V,VDS = 25V)
    - 输出电容 Coss:800pF
    - 反向传输电容 Crss:490pF
    - 总门极电荷 Qg:200nC(VGS = 10V)
    - 门极-源极电荷 Qgs:24nC
    - 门极-漏极电荷 Qgd:110nC
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:800V
    - 门源电压 VGS:±30V
    - 持续漏电流 ID:25°C 下 5A,100°C 下 3.9A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:770mJ
    - 最大功率耗散 PD:190W

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 快速开关特性,适合高频应用
    - 简化的驱动需求,降低设计复杂度
    - 高重复雪崩耐受,提高可靠性
    - 符合RoHS标准,绿色环保
    市场竞争力:
    - 高性能的导通电阻和低损耗,适用于需要高效能的应用场合
    - 优越的温度稳定性和可靠性能,确保长时间运行的稳定性

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在工业控制系统中用于高压电机驱动
    - 在电源转换器中作为高效开关元件
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议采用良好的散热措施以保证性能稳定
    - 考虑到低门极电压需求,可以选用逻辑电平驱动器进行简化设计

    兼容性和支持


    兼容性:
    - FQPF6N80-VB MOSFET 与大多数常见的驱动器兼容,易于集成到现有系统中
    支持和服务:
    - 客户可以获得制造商的技术支持和咨询服务
    - 详尽的技术文档和应用指南可供参考

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 开关时间过长
    - 解决方法:检查驱动电路的阻抗匹配情况,调整门极电阻值
    2. 发热过大
    - 解决方法:改善散热条件,选择合适的散热片或热管
    3. 输出电流不稳定
    - 解决方法:检查负载条件,确认是否超出器件的额定范围

    总结和推荐


    总结:
    - FQPF6N80-VB MOSFET具有高性能、高可靠性和简单易用的优点,在工业控制、电源转换等领域有着广泛的应用前景。

    推荐:
    - 推荐用于需要高效能、高可靠性且对驱动要求不高的场合,特别适用于工业和电力系统中的关键组件。

FQPF6N80-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF6N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF6N80-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF6N80-VB FQPF6N80-VB数据手册

FQPF6N80-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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