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FIB8N50K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FIB8N50K-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIB8N50K-VB

FIB8N50K-VB概述

    FIB8N50K-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FIB8N50K-VB 是一款N沟道550V(漏源)功率MOSFET。它广泛应用于消费电子、服务器和电信电源、工业焊接、感应加热、电机驱动以及电池充电等领域。本产品通过优化设计提供了卓越的效率和性能,适用于多种高要求的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是FIB8N50K-VB的主要技术规格和参数:
    - 漏源电压 (VDS):550 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25 °C时为0.26 Ω(在VGS=10 V时)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):150 nC
    - 输入电容 (Ciss):3094 pF
    - 输出电容 (Coss):152 pF
    - 反向转移电容 (Crss):13 pF
    - 体二极管能量额定值 (UIS):281 mJ
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):56 A
    - 最大耗散功率 (PD):60 W
    - 热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 热阻 (RthJC):0.45 °C/W
    - 工作环境温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 优化设计:低面积特定导通电阻、低输入电容(Ciss)、减少的容性开关损耗、高体二极管耐用性、雪崩能量额定值(UIS)
    - 优化效率和操作:低成本、简单的栅极驱动电路、低品质因子(FOM)、快速开关
    - 应用广泛:消费电子(如液晶电视)、服务器和电信电源(如SMPS)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动)、电池充电、功率因数校正(PFC)

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子:适用于LCD或等离子电视等显示设备,这些设备对开关速度和效率要求较高。
    - 服务器和电信电源:作为开关模式电源(SMPS)的关键组件,需要高可靠性和稳定性的电源转换。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动,这些应用需要高耐用性和大电流处理能力。
    - 电池充电器:用于快速高效的充电过程。
    - SMPS-PFC:作为电源模块的核心部分,确保高效的功率因数校正。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,确保其耐压(VDS)和电流能力符合应用需求。
    - 为了提高效率,尽量选择具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)的产品。
    - 考虑散热设计以保证安全运行,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FIB8N50K-VB与标准的TO-220封装相兼容,可以方便地集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:制造商提供详细的技术手册和全面的支持服务,包括安装指南和技术咨询服务。客户可以通过官方渠道获得必要的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极驱动电压过高导致损坏
    - 解决方法:确保栅极驱动电压不超过制造商推荐的最大值(VGS = ± 20 V)。
    - 问题2:导通电阻偏高影响效率
    - 解决方法:检查应用条件是否满足RDS(on)的测试条件(VGS = 10 V, ID = 10 A),并确保良好的散热设计。
    - 问题3:逆向恢复时间过长
    - 解决方法:根据负载特性和工作频率,选择合适的栅极电荷(Qg)和栅源电荷(Qgs)。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    FIB8N50K-VB N-Channel 550V Power MOSFET 在效率、可靠性和耐用性方面表现出色,尤其适合于需要高效开关和高可靠性应用的场合。其优化的设计和广泛的适用范围使其成为市场上具有竞争力的产品之一。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛应用范围,强烈推荐使用FIB8N50K-VB作为高要求应用的首选MOSFET。对于需要高效率和可靠性的应用,这款产品无疑是最佳选择。

FIB8N50K-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FIB8N50K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIB8N50K-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FIB8N50K-VB FIB8N50K-VB数据手册

FIB8N50K-VB封装设计

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