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NDS8839H-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: NDS8839H-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS8839H-NL-VB

NDS8839H-NL-VB概述

    # N- and P-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N- and P-Channel 30 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是适用于多种应用场合的高性能电子元器件。这类晶体管具有出色的开关性能和低导通电阻(RDS(on)),使其广泛应用于移动电源、电机驱动等领域。本手册提供了产品的详细技术参数和性能说明,以帮助用户更好地了解和使用该产品。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): ±30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 8 A (N-Channel)
    - TC = 25 °C: 8 A (P-Channel)
    - 脉冲漏电流 (10 µs 脉宽): 40 A
    - 热阻抗 (典型值):
    - RthJA (N-Channel): 50 °C/W
    - RthJA (P-Channel): 47 °C/W
    - RthJF (N-Channel): 30 °C/W
    - RthJF (P-Channel): 29 °C/W
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):
    - N-Channel: 30 V
    - P-Channel: -30 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):
    - N-Channel: 1 µA @ 30 V, VGS = 0 V
    - P-Channel: -1 µA @ -30 V, VGS = 0 V
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):
    - N-Channel: 510 pF (VDS = 20 V, VGS = 0 V)
    - P-Channel: 620 pF (VDS = -20 V, VGS = 0 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - N-Channel: 6 nC (VDS = 20 V, VGS = 10 V)
    - P-Channel: 41.5 nC (VDS = -20 V, VGS = -10 V)

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术: 采用先进的沟槽式技术,显著降低导通电阻。
    - 全检测试: 100% 的栅极电阻 (Rg) 和 UIS 测试,确保产品质量可靠。
    - 环保标准: 符合 RoHS 指令,无卤素设计,符合 IEC 61249-2-21 标准。
    市场竞争力
    - 高可靠性: 具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。
    - 广泛应用: 在电机驱动、移动电源等应用中有优异表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动电源: 由于其高能效和紧凑尺寸,适用于便携式电池管理。
    - 电机驱动: 可提供快速开关响应,适用于需要高效能驱动的应用。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热系统,避免过热影响使用寿命。
    - 测试条件: 在进行高功率操作时,需根据实际应用场景调整参数,确保安全使用。

    兼容性和支持


    兼容性
    - N-Channel 和 P-Channel 器件可以独立使用或组合使用,广泛适用于多种电路设计。
    厂商支持
    - 服务热线: 400-655-8788
    - 技术支持: 可通过公司官网获取最新产品资料和技术支持文档。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何判断 MOSFET 是否损坏?
    - 解决方案: 使用万用表测量栅极电阻 (Rg),如果电阻值异常,则可能损坏。
    2. 如何选择合适的栅极驱动电阻 (Rg)?
    - 解决方案: 根据实际应用场景确定,一般参考技术手册中的建议值进行选择。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高效率: 低导通电阻确保了高效的能量转换。
    - 易用性: 易于集成到现有设计中,且具备广泛的适用范围。
    - 可靠性: 经过严格测试,确保在各种环境下稳定工作。
    推荐使用
    - 基于上述优点和广泛的应用场景,强烈推荐使用 N- and P-Channel 30 V MOSFET。无论是移动电源还是电机驱动,这款 MOSFET 都能够为您的设计带来卓越的表现和可靠性。

NDS8839H-NL-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Id-连续漏极电流 9A,6A
FET类型 N+P沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS8839H-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS8839H-NL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS8839H-NL-VB NDS8839H-NL-VB数据手册

NDS8839H-NL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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交货地:
最小起订量为:20
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