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49CN10N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: 49CN10N-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 49CN10N-VB

49CN10N-VB概述

    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册描述了一款高性能的N-通道100V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为N-Channel MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻、高耐温性能及较低的热阻,适用于各种工业和消费电子应用。其主要功能是在开关电源、电机控制和汽车电子等领域发挥关键作用。

    2. 技术参数


    以下是该器件的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压(V(BR)DSS): 100V
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 在VGS=10V时为0.030Ω
    - 在VGS=4.5V时为0.0Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - 当环境温度为25°C时为40A
    - 当环境温度为125°C时为23A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 120A
    - 反向恢复时间(trr): 60-100ns
    - 峰值反向恢复电流(IRM): 58A
    - 最大功率耗散(PD): 107W
    - 最大工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55至175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:能够在175°C的高温下正常工作。
    - 低热阻设计:具有优异的热管理能力,确保长时间稳定运行。
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为0.030Ω,降低了功耗。
    - 宽泛的工作温度范围:可适应-55至175°C的极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于各种高功率应用场合,如开关电源、电机驱动器和汽车电子系统等。在具体使用过程中,建议如下:
    - 在高电流应用中注意散热,以避免因过热导致损坏。
    - 在高频切换操作中,要特别关注寄生电容和开关损耗的影响。
    - 考虑到其卓越的热性能,建议使用良好的散热设计来延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准的TO-252封装,可以方便地与其他标准电路板组件兼容。厂商提供详尽的技术支持和服务,包括快速响应的技术咨询和支持服务。如有需要,用户可以通过服务热线400-655-8788联系获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流环境下,器件出现过热现象。
    - 解决办法:改善散热设计,使用更大面积的散热片或者散热风扇。
    - 问题2:在高频应用中,噪声水平较高。
    - 解决办法:增加滤波电容或采用更好的屏蔽设计。
    - 问题3:长时间运行后,器件性能下降。
    - 解决办法:检查并更换已老化或损坏的外围电路元件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel MOSFET凭借其出色的性能参数、广泛的适用性和可靠的支持,非常适合在多种高功率应用场合中使用。强烈推荐使用本产品,特别是在需要高效率和稳定性要求的应用中。

49CN10N-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

49CN10N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

49CN10N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 49CN10N-VB 49CN10N-VB数据手册

49CN10N-VB封装设计

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