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VSO012N03MS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: VSO012N03MS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VSO012N03MS-VB

VSO012N03MS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于高侧同步整流器操作。该产品通过其卓越的性能和可靠性,被广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关电路中。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的技术规格和性能参数:
    - 最大电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在TC=25°C时:13A
    - 在TC=70°C时:7A(TA=70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在TC=25°C时:4.1W
    - 在TC=70°C时:2.5W(TA=70°C)
    - 栅极至源极阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 3.0V
    - 门限电压温度系数 (ΔVGS(th)/TJ): -6mV/°C
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在VDS=15V,VGS=10V时:15 ~ 23nC
    - 在VDS=15V,VGS=5V时:6.8 ~ 10.2nC
    - 反向恢复时间 (trr): 15 ~ 30ns
    - 热阻 (RthJA): 39 ~ 55°C/W(最大)

    产品特点和优势


    - Halogen-Free: 符合RoHS标准,无卤素材料。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 利用沟槽型技术提高效率。
    - 优化的高侧同步整流器操作: 适合高侧开关应用。
    - 100% Rg和UIS测试: 确保产品质量和可靠性。
    - 广泛的温度适应性: 工作温度范围为-55°C到150°C。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本CPU核心高侧开关: 在笔记本电脑中用于调节电源供应,确保系统稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计: 由于较高的功耗,建议在使用过程中增加适当的散热措施,如使用散热片或风扇,以保持良好的散热效果。
    - 负载电流选择: 根据实际应用需求,合理选择负载电流,避免过载。

    兼容性和支持


    该产品采用SO-8封装,与多数标准主板上的插座兼容。制造商提供详细的使用手册和技术支持,确保用户能够顺利安装和使用该产品。如有需要,可以联系技术支持获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品发热严重,影响性能。
    - 解决办法: 增加散热装置,例如使用散热片或风扇进行散热。
    2. 问题: 输出电流不稳定。
    - 解决办法: 检查电路连接是否正确,确认负载是否符合要求。
    3. 问题: 开关频率过高导致损坏。
    - 解决办法: 降低开关频率,根据实际需求调整。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高效的功率处理能力、广泛的温度适应性和优良的可靠性,成为高侧开关应用的理想选择。特别是其高侧同步整流器优化操作特性,使其在笔记本电脑CPU核心开关电路中表现出色。
    推荐结论
    强烈推荐使用N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,特别适合需要高效能、高可靠性的应用场合,如笔记本电脑和其他便携式电子设备的电源管理。

VSO012N03MS-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VSO012N03MS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VSO012N03MS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VSO012N03MS-VB VSO012N03MS-VB数据手册

VSO012N03MS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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型号 价格(含增值税)
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