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LR3114Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: 14M-LR3114Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LR3114Z-VB

LR3114Z-VB概述

    # N-Channel 4-V (D-S) MOSFET LR3114Z 技术手册

    产品简介


    LR3114Z 是一款高性能的N沟道4伏特(D-S)MOSFET晶体管,采用TrenchFET®功率MOSFET技术制造。这款MOSFET广泛应用于同步整流、电源管理等领域。其卓越的电气性能和可靠性使其成为现代电子设计的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压VDS | 4 | V |
    | 门源电压VGS | ±25 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=175°C) | 85(TC=25°C),70(TC=70°C) | A |
    | 最大脉冲漏极电流IDM | 250 | A |
    | 单次脉冲雪崩能量EAS | 320 | mJ |
    | 最大功耗PD | 312(TC=25°C),200(TC=70°C) | W |
    | 工作结温及存储温度范围 | -55至150 | °C |
    | 热阻抗RthJA | 32(典型值) | °C/W |
    | 罗氏限制PD(RthJA=40°C/W) | 312 | W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供了低导通电阻(RDS(on)),确保了在高电流下的高效运行。
    - 严格的质量控制:100% Rg和UIS测试,保证产品质量。
    - 宽泛的工作温度范围:从-55°C到150°C,适应各种恶劣环境。
    - 卓越的热阻特性:低热阻保证长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流:用于高效率电源转换系统,提高整体能效。
    - 电源管理:广泛应用于服务器、通信设备和汽车电子系统中,提供稳定的电源输出。
    使用建议
    - 在选择散热片时,建议选用具有较高热传导性的材料以降低热阻。
    - 谨慎处理VGS电压,避免超出绝对最大额定值,以免造成器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于标准DPAK封装,可与市场上多数相关电路板和配件兼容。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括电话咨询、在线文档和技术论坛等。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的VGS电压?
    - 答:使用内部栅极电阻进行限流,并通过外部稳压电路保护MOSFET。
    2. 问:在高温环境下,漏极电流ID会发生什么变化?
    - 答:在高温下,漏极电流ID会随温度升高而增加。可以通过外部散热措施来控制温度。

    总结和推荐


    LR3114Z凭借其出色的电气性能和广泛的适用性,在众多应用领域展现出强大的竞争力。它的低导通电阻和宽泛的工作温度范围使得它特别适合于需要高效率和高可靠性的场合。强烈推荐使用此产品以提升系统的整体性能。

LR3114Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LR3114Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LR3114Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LR3114Z-VB LR3114Z-VB数据手册

LR3114Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.3779
10+ ¥ 3.1792
30+ ¥ 2.8374
100+ ¥ 2.1261
2500+ ¥ 2.0466
7500+ ¥ 1.987
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