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UPA2708TP-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,20A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UPA2708TP-E1-AZ-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2708TP-E1-AZ-VB

UPA2708TP-E1-AZ-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于同步降压电路的低侧开关、同步整流器和电源管理等领域。该产品具有高效率、低功耗的特点,适用于笔记本电脑、服务器和工作站等多种应用场景。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 的主要技术参数:
    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 30 V
    | 栅源电压 (VGS) | ± 20 V
    | 持续漏极电流 (ID) | 25 A @ TA = 25°C | 17 A @ TJ = 150°C |
    | 脉冲漏极电流 (IDM)| 70 A (10 µs脉宽)
    | 最大功率耗散 (PD) | 3.5 W @ TA = 25°C | 1.6 W @ TA = 70°C |
    | 工作温度范围 | -55°C 到 150°C
    | 热阻 (RthJA) | 29°C/W (≤10s), 67°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Gen II技术:采用先进的沟槽栅工艺,降低导通电阻,提高能效。
    - 超低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(on)=0.003Ω;在VGS=4.5V时,RDS(on)=0.004Ω。
    - 高可靠性:通过严格的绝对最大额定值测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料,适合绿色电子制造需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑:作为低侧开关用于电池管理。
    - 服务器:用于数据中心的电源管理系统。
    - 工作站:在高性能计算系统中作为开关元件。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高电流通过,需要良好的散热设计,建议使用散热片或散热器。
    2. 驱动电路:确保栅极驱动电路能够提供足够的电压以降低RDS(on),从而减少功耗。
    3. 负载匹配:根据具体应用选择合适的负载,避免过载导致热损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET 与常见的SO-8封装兼容,方便集成到现有的电路板设计中。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和现场技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的散热器?
    解决方案:根据MOSFET的工作电流和环境温度,选择散热系数适配的散热器。可以参考数据表中的热阻参数进行计算。
    问题2:如何优化驱动电路?
    解决方案:使用专用的MOSFET驱动芯片,确保快速稳定的开关速度。优化驱动电路的RC时间常数,以提高效率并减少EMI。
    问题3:如何防止过温保护失效?
    解决方案:合理设计电路,保证良好的散热设计,并定期监测电路温度,必要时添加温度传感器进行实时监控。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适用于需要高效能和低功耗的应用场景。其超低的导通电阻和先进的TrenchFET技术使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐使用
    强烈推荐在笔记本电脑、服务器和工作站等高性能电子设备中使用此MOSFET,因其卓越的性能和可靠性将带来显著的经济效益。

UPA2708TP-E1-AZ-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2708TP-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2708TP-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA2708TP-E1-AZ-VB UPA2708TP-E1-AZ-VB数据手册

UPA2708TP-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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