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J504-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: J504-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J504-VB

J504-VB概述

    J504-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    J504-VB 是一款高性能的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有卓越的开关特性和低导通电阻。它广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备、汽车电子等领域,适用于需要高可靠性和低功耗的应用场合。

    技术参数


    以下是J504-VB的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -60 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ± | V |
    | 持续漏极电流 | ID | -30 | - | - | A |
    | 冲击漏极电流 | IDM | -100 | - | - | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.050 @ VGS=-10V | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 1765 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 230 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 180 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | QG | - | 67 | - | nC |
    绝对最大额定值:
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | -60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -30 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 51 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | W |
    热阻率:
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 结到环境热阻 | RthJA | 60 | °C/W |
    | 结到外壳热阻 | RthJC | 3 | °C/W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,提高了器件的耐压能力和可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在典型值为 0.050Ω(VGS=-10V)时非常低,这有助于降低系统的功耗。
    - 高可靠性:所有产品均通过 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令要求,不含卤素。
    - 适用温度范围广:从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围,使其适用于多种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    J504-VB MOSFET 在以下应用中表现出色:
    - 开关电源:作为开关管,用于降压、升压和反激式拓扑结构。
    - 电机驱动:作为逆变器的一部分,驱动直流或交流电机。
    - 通信设备:用于电源管理和信号调理。
    - 汽车电子:适用于引擎控制单元、车身控制系统等。
    使用建议:
    - 确保驱动电压不超过 -20V,以避免损坏。
    - 根据负载条件选择合适的散热片,保证结温不超过 150°C。
    - 针对特定应用进行充分测试,确保其性能和可靠性满足需求。

    兼容性和支持


    J504-VB 采用标准的 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装和集成。此外,制造商提供了详细的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确连接 J504-VB?
    A:参照数据手册中的引脚图,正确连接漏源极(D)、栅极(G)和源极(S)。请务必按照规定的电气特性进行操作,避免过压或过流。
    2. Q:如何处理过高的工作温度?
    A:使用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保结温不超过 150°C。如果出现高温报警,应立即采取措施降低系统负荷或改善散热条件。
    3. Q:如何判断 J504-VB 是否正常工作?
    A:可以使用万用表测量其漏源电压和漏极电流,确认其在规定范围内工作。同时,检查其输出波形是否符合预期。

    总结和推荐


    综上所述,J504-VB P-Channel 60V MOSFET 是一款性能优异、可靠性高的电子元器件,适用于多种复杂和苛刻的工作环境。它的低导通电阻、宽泛的工作温度范围以及丰富的技术支持使得其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效能和稳定性的应用中使用此产品。

J504-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J504-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J504-VB数据手册

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J504-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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