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2SK2823-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: 2SK2823-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2823-VB

2SK2823-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。适用于需要快速响应和低功耗的应用。它的主要功能是作为开关元件,广泛应用于逻辑电平接口、驱动电路和电池供电系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | VGS=0V, ID=10μA | 60 V |
    | 栅阈电压(VGS(th)) | VDS=VGS, ID=250μA | 1 | 2.5 V |
    | 零栅电压漏电流(IDSS) | VDS=60V, VGS=0V | 1 500 | μA |
    | 开态漏极电流(ID(on)) | VGS=10V, VDS=7.5V | 500 mA |
    | 开态漏极电阻(RDS(on)) | VGS=10V, ID=200mA | 2.8 Ω |
    | 转导率(gfs) | VDS=10V, ID=100mA 100 mS |
    | 输入电容(Ciss) | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | 25 pF |
    | 开启时间(td(on)) | VDD=30V, RL=150Ω, ID≅200mA, VGEN=10V, RG=10Ω | 20 ns |
    | 关断时间(td(off)) | VDD=30V, RL=150Ω, ID≅200mA, VGEN=10V, RG=10Ω | 30 ns |

    产品特点和优势


    1. 低阈值电压:通常为2V,便于驱动。
    2. 低输入电容:仅为25pF,有助于提高信号速度。
    3. 快速开关速度:开关时间为25ns,适合高频率应用。
    4. 低输入和输出泄漏:减少不必要的功耗。
    5. TrenchFET® 功率MOSFET:提供卓越的性能和可靠性。
    6. 静电放电保护:1200V ESD保护,确保长期可靠运行。
    7. 环保标准:符合RoHS指令,无卤素,可实现绿色制造。

    应用案例和使用建议


    1. 直接逻辑电平接口:适用于TTL/CMOS接口。
    2. 驱动器应用:用于控制继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器和晶体管等。
    3. 电池供电系统:由于低功耗特性,适用于便携式设备。
    4. 固态继电器:替代传统机械继电器,提高系统可靠性。
    使用建议:
    - 确保正确连接电源和负载,避免反向偏置导致损坏。
    - 在高频应用中,考虑使用低阻抗栅极电阻,以加快开关速度。
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免过热。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的通用性,可以与多种电子设备和组件兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分发挥产品的性能和可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品过热
    - 解决方案:增加散热片或使用更大的PCB面积,确保良好的热管理。
    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:减小栅极电阻,优化驱动电路。
    3. 问题:漏电流大
    - 解决方案:检查是否有物理损伤,更换新件或重新焊接。

    总结和推荐


    这款N-Channel 60-V MOSFET凭借其出色的性能、低功耗和快速响应能力,在各种应用场景中表现出色。无论是逻辑电平接口还是电池供电系统,都展现出卓越的性能。因此,强烈推荐使用此产品。

2SK2823-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 300mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2823-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2823-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2823-VB 2SK2823-VB数据手册

2SK2823-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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