处理中...

首页  >  产品百科  >  UT2340L-AE3-R-VB

UT2340L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: UT2340L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2340L-AE3-R-VB

UT2340L-AE3-R-VB概述

    电子元器件产品技术手册解析
    本文档将对一种特定型号的P-Channel 20-V (D-S) MOSFET进行全面的技术剖析,涵盖其基本特性、技术参数、产品特点及优势、实际应用场景、兼容性信息以及常见的使用问题与解决方案。该MOSFET由VBsemi公司生产,型号为UT2340L-AE3-R。

    1. 产品简介


    UT2340L-AE3-R 是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子设备中的负载开关和PA开关等应用场景。它能在20V(D-S)下工作,具备出色的耐热性和抗电性,适用于直流/直流转换器等领域。

    2. 技术参数


    - VDS(漏源电压):20V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - 在VGS=-10V时为0.035Ω
    - 在VGS=-4.5V时为0.043Ω
    - 在VGS=-2.5V时为0.061Ω
    - ID(连续漏极电流):
    - 在TC=25°C时为-5A
    - 在TA=25°C时为-4.5A
    - 在TA=70°C时为-3.5A
    - Pulsed Drain Current IDM:-18A
    - Continuous Source-Drain Diode Current IS:-2.1A
    - Maximum Power Dissipation PD:
    - 在TC=25°C时为2.5W
    - 在TC=70°C时为1.6W
    - Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg:-55°C至150°C
    - Thermal Resistance Ratings:
    - 最大结到环境温度的热阻RthJA ≤ 100°C/W

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free:根据IEC 61249-2-21定义,该产品不含卤素。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽工艺技术,提高导通效率。
    - 100% Rg Tested:所有产品均经过Rg测试。
    - RoHS合规:符合RoHS指令2002/95/EC,适用于欧洲市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - Load Switch:适用于各种需要控制负载电流的应用,如电池充电电路。
    - PA Switch:在无线通信设备中作为功率放大器的开关,能够快速响应信号变化。
    - DC/DC Converters:用于调整电压,提高电源系统的效率。
    使用建议:
    - 确保散热系统有效工作,以避免过热导致的损坏。
    - 考虑电路设计中的寄生电容影响,优化驱动电路的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与大多数标准电路板兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南和故障排查手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热损坏。
    - 解决办法:确保电路中良好的散热设计,增加散热片或使用外部冷却系统。
    - 问题2:驱动电路不稳定。
    - 解决办法:检查驱动电路的设计,确保信号稳定,无过多的干扰信号。

    7. 总结和推荐


    UT2340L-AE3-R P-Channel 20-V MOSFET在性能上表现出色,适合多种应用场景,特别是对于需要高可靠性、低损耗的应用场景尤为合适。它的低导通电阻和高电流承载能力使其在工业和消费电子设备中具有广泛的适用性。总体而言,强烈推荐此产品用于各类需要高性能P沟道MOSFET的应用场合。

UT2340L-AE3-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2340L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2340L-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2340L-AE3-R-VB UT2340L-AE3-R-VB数据手册

UT2340L-AE3-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
合计: ¥ 26.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504