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KD2306-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: KD2306-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2306-VB

KD2306-VB概述

    # KD2306 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    KD2306 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET 技术制造。其主要功能包括高效率开关操作和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电力转换和控制场景。这款器件以其卓越的性能和可靠性在直流-直流转换器(DC/DC Converter)、电源管理及信号开关领域广泛应用。
    主要功能:
    - 低导通电阻:典型值为 0.030 Ω(在 VGS=10 V 下)。
    - 高效开关性能:快速的开关速度和较低的门极电荷(Qg)。
    - 高集成度:采用小型 TO-236(SOT-23)封装,适合表面贴装工艺。
    应用领域:
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理
    - 信号开关电路
    - 汽车电子系统
    - 工业自动化

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID 6.5 A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.030 Ω |
    | 门极总电荷 | Qg | 2.1 | 4.5 | 6.7 | nC |
    | 开关门限电压 | VGS(th) | 0.7 | 2.0 V |
    | 阈温系数 | ΔVGS(th)/TJ -5 mV/°C |
    工作温度范围:-55°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    KD2306 的设计基于最先进的 TrenchFET 技术,其核心优势在于:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少功耗并提高能效。
    - 快速开关能力,降低了动态功耗,适合高频开关应用。
    - 高额定工作电压(30V),提供更广泛的电压适应性。
    - 小巧的 SOT-23 封装,适用于紧凑设计。
    - 支持无卤素环保材料,符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准。
    这些特点使 KD2306 在 DC/DC 转换器和便携式设备电源管理中具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC 转换器:用于笔记本电脑适配器或车载充电器中,能够实现高效的电能转换。
    - 电池管理系统:通过精确的开关控制延长电池寿命。
    - 电机驱动:适合需要快速响应的工业自动化控制场合。
    使用建议:
    - 热管理:尽管该器件具有良好的散热性能,但长期满载运行仍需附加散热措施以确保稳定工作。
    - 布局优化:由于器件体积小,焊接时需使用热焊锡,以保证焊接质量。
    - 门极驱动:建议使用低阻抗门极驱动器来减少驱动损耗并提高开关效率。

    兼容性和支持


    KD2306 支持标准 SOT-23 封装,可轻松与其他通用电子元件兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 获得详细咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 添加散热片或降低开关频率 |
    | 门极电压不匹配导致导通困难 | 确保门极电压符合要求(通常为 10V) |
    | 寿命较短或老化现象 | 定期检查散热条件并优化工作环境 |

    总结和推荐


    KD2306 是一款高性价比的 N 沟道 MOSFET,具备优异的性能表现和广泛的应用场景。它特别适合对开关效率和尺寸要求较高的应用。建议在选择时重点关注其热管理措施和驱动电路的设计,以最大化发挥其性能优势。总体而言,KD2306 是一款值得推荐的电子元器件产品。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

KD2306-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2306-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2306-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2306-VB KD2306-VB数据手册

KD2306-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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