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UT2305AL-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2305AL-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2305AL-AE3-R-VB

UT2305AL-AE3-R-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
    本产品为P沟道增强型30伏特(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于功率MOSFET类型。它具有低导通电阻、高开关速度等特点,广泛应用于移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关、直流/直流转换器等。本产品具有出色的热稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。

    技术参数


    - 主要电气参数
    - 额定电压 \( V{DS} \): 30V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10V \) 下为 0.046Ω
    - 在 \( V{GS} = -6V \) 下为 0.049Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5V \) 下为 0.054Ω
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - 在 \( TC = 25°C \) 下为 -5.6A
    - 在 \( TA = 25°C \) 下为 -5.4A(最大)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -18A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 在 \( TC = 25°C \) 下为 2.5W
    - 在 \( TA = 25°C \) 下为 1.25W(最大)
    - 工作环境
    - 工作温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:具备较低的 \( R{DS(on)} \),在不同电压条件下仍能保持较低值,从而降低能耗。
    2. 高可靠性:经过100% \( Rg \) 测试,确保高可靠性和稳定性。
    3. 快速开关性能:快速的开关速度和短的延迟时间,适合高频应用。
    4. 宽工作温度范围:适应-55°C至150°C的宽温度范围,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 移动计算设备:作为负载开关、笔记本适配器开关及直流/直流转换器的核心组件。
    - 工业控制:应用于需要高可靠性和耐高温的应用场景。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功耗,建议采用适当的散热措施,如使用散热片或风扇,以确保长时间稳定运行。
    2. 并联使用:在需要更高电流时,可以考虑多颗并联使用,但需注意并联器件的均流设计。
    3. 电路布局:在PCB设计中,尽量缩短引脚距离,减少寄生电感和电容的影响,提高开关性能。

    兼容性和支持


    - 封装形式:采用SOT-23 (TO-236) 封装,可直接焊接在1英寸×1英寸的FR4板上。
    - 兼容性:该器件兼容大多数常见的电子设备和系统,可方便地集成到现有的电路设计中。
    - 厂商支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的数据手册和技术文档,以及客户技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热导致烧毁。
    - 解决方案:检查散热系统是否有效,增加散热片或风扇以改善散热效果。
    2. 问题:开关速度慢,影响电路性能。
    - 解决方案:优化电路布局,减小寄生电感和电容,提高开关频率。
    3. 问题:导通电阻异常增大。
    - 解决方案:检查工作温度和输入电压是否在正常范围内,必要时更换新的器件。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 低导通电阻,节省能源。
    - 快速开关性能,适用于高频应用。
    - 宽温度范围,适合多种环境应用。
    推荐:
    该产品因其优异的电气性能和广泛的适用性,在移动计算设备和其他高性能应用领域表现出色。推荐用于需要高可靠性和高效能的电路设计中。

UT2305AL-AE3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2305AL-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2305AL-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2305AL-AE3-R-VB UT2305AL-AE3-R-VB数据手册

UT2305AL-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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