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900N20NS3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: DFN8(5X6);N—Channel沟道,200V;25A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: 900N20NS3-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 900N20NS3-VB

900N20NS3-VB概述

    900N20NS3-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    900N20NS3-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有出色的开关性能和低导通电阻,广泛应用于固定式电信设备、DC/DC转换器、电源供应器、同步整流、LED照明等领域。其ThunderFET®技术使其能够在功率损耗、门极电荷等方面实现最佳平衡,从而在多种应用场景中展现出卓越性能。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):200 V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 10 V时为0.038 Ω
    - 在VGS = 7.5 V时为0.043 Ω
    - 门极电荷 (Qg):20 nC
    - 连续漏极电流 (ID):30 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A
    - 最大持续工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻 (RthJA):15°C/W
    - 最大功率耗散 (PD):10 W (25°C)、66.6 W (70°C)
    - 门极至源极电压 (VGS):±20 V
    - 绝对最大额定值 (额定温度TA = 25°C):
    - 漏极至源极电压 (VDS):200 V
    - 门极至源极电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):30 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 μs):70 A
    - 最大功率耗散 (25°C):10 W

    3. 产品特点和优势


    - ThunderFET®技术:显著提升了开关效率,优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss之间的平衡。
    - 全面测试:所有产品均经过100%的门极电阻 (Rg) 和过应力测试 (UIS),确保可靠性和耐用性。
    - 多应用场景:适用于固定式电信设备、DC/DC转换器、LED照明等多种应用场景。
    - 高可靠性:-55°C到+150°C的工作温度范围,使得产品可以在极端环境中保持稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 固定式电信设备:在电信基站中,用于高效的电压转换和功率管理。
    - DC/DC转换器:作为高效能转换器中的关键部件,提升能源转换效率。
    - LED照明:用于驱动和控制LED灯的电路,提高发光效率。
    使用建议:
    - 散热管理:由于功率耗散较大,建议使用散热片或其他有效的散热方式来避免热损坏。
    - 合适的门极驱动:为了确保最佳的开关性能,建议使用合适的门极电阻 (Rg) 和门极电压 (VGS)。
    - 电路设计:在高频率应用中,需考虑输入、输出和反向传输电容的影响,以避免寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:900N20NS3-VB MOSFET可与其他标准电路组件良好兼容,适用于各种复杂电路设计。
    - 技术支持:客户可以通过400-655-8788热线电话获得技术咨询和支持,确保产品在使用过程中遇到问题时能够及时得到解决。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:电路出现短路现象。
    - 解决方案:检查漏极至源极电压 (VDS) 是否超过额定值,调整电路参数以避免过压。

    - 问题2:导通电阻异常增大。
    - 解决方案:确认门极至源极电压 (VGS) 是否达到或超过最低要求电压,并确保门极电阻 (Rg) 设置合理。
    - 问题3:电路无法正常工作。
    - 解决方案:仔细检查电路连接是否正确,确保所有电气特性和条件都符合规定的技术参数。

    7. 总结和推荐


    总结:
    900N20NS3-VB MOSFET以其优秀的开关性能、较低的导通电阻和宽泛的工作温度范围,成为了许多高性能电路的理想选择。ThunderFET®技术的应用进一步增强了其整体性能,特别是在低功耗、高效率的应用场合中表现尤为突出。
    推荐:
    我们强烈推荐900N20NS3-VB MOSFET应用于需要高可靠性和高性能的各类电子系统中,尤其适用于固定式电信设备、DC/DC转换器和LED照明等领域。客户在购买和使用前请务必详细阅读相关技术手册,以确保最佳的性能和可靠性。

900N20NS3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 54mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 25A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 QFN-8

900N20NS3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

900N20NS3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 900N20NS3-VB 900N20NS3-VB数据手册

900N20NS3-VB封装设计

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