处理中...

首页  >  产品百科  >  FIZ24N-VB

FIZ24N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: FIZ24N-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIZ24N-VB

FIZ24N-VB概述

    # FIZ24N-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FIZ24N-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。它适用于各种高压、高电流的应用场景,如电源转换器、电机驱动器和逆变器等。该器件采用了隔离封装设计,能够在高电压环境中稳定运行。

    技术参数


    主要参数
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):45 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220 A
    - 最大耗散功率 (PD):52 W(TC = 25°C)
    - 最大结温 (TJ, Tstg):-55 至 +175°C
    - 反向恢复峰值电压 (dV/dt):4.5 V/ns
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1500 pF
    - 输出电容 (Coss):无
    - 反向传输电容 (Crss):无
    - 总栅极电荷 (Qg):95 nC
    - 栅极电容 (Qgs):27 nC
    - 栅极漏极电容 (Qgd):46 nC
    - 导通延迟时间 (td(on)):19 ns
    - 上升时间 (tr):120 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):-55 ns
    - 下降时间 (tf):86 ns
    静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 至 3.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):-25 µA(VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.027 Ω(VGS = 10 V, ID = 18 A)
    - 正向转移电导 (gfs):15 S
    热阻特性
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):65°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):3.1°C/W

    产品特点和优势


    FIZ24N-VB 的显著特点如下:
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS,确保在高电压环境下可靠运行。
    - 低热阻:结到环境的热阻仅为 65°C/W,有助于提高散热性能。
    - 动态dv/dt等级:4.5 V/ns,适合高速开关应用。
    - 低漏极源极电阻 (RDS(on)):0.027 Ω(VGS = 10 V),降低导通损耗。
    - 环保设计:铅(Pb)-free 可用,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    FIZ24N-VB 可广泛应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器和开关电源等场合。例如,在一个高频逆变器应用中,FIZ24N-VB 能够提供低导通电阻和高耐压能力,确保系统高效运行。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 为了减少电磁干扰,建议在电路板上采用低寄生电感的设计。

    兼容性和支持


    FIZ24N-VB 与大多数现有的电路设计兼容,特别是在电源管理领域。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档,以及在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温下工作不稳定。
    2. 散热不良导致性能下降。
    3. 高频应用中的噪声干扰。
    解决方案
    1. 使用适当的散热措施:例如增加散热片或散热风扇。
    2. 合理布局电路板:降低寄生电感,提高系统的抗干扰能力。
    3. 选用合适的驱动器:选择具有快速响应特性的驱动器,以减少噪声。

    总结和推荐


    FIZ24N-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种高压和大电流应用。其出色的电气特性、高可靠性以及良好的兼容性使其成为许多电子系统中的理想选择。综合考虑其性能和适用范围,我们强烈推荐使用这款产品。

FIZ24N-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FIZ24N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIZ24N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FIZ24N-VB FIZ24N-VB数据手册

FIZ24N-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336