处理中...

首页  >  产品百科  >  K1698-VB

K1698-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K1698-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1698-VB

K1698-VB概述

    # N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的TrenchFET技术制造,具有卓越的开关特性和低导通电阻。该产品广泛应用于DC/DC转换器、升压转换器、LED背光驱动、便携式计算设备电源管理等领域。其高效率和紧凑设计使其成为现代电力电子应用的理想选择。
    主要功能:
    - 高效开关性能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 支持高电流处理能力
    - 高可靠性与耐用性
    应用领域:
    - DC/DC转换器及升压转换器
    - 负载开关
    - LCD电视背光驱动
    - 移动设备电源管理

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.2 | 3 V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) 0.102 Ω |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C)| ID | 4.2 | 3.2 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 3 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 0.45 | mJ |
    | 最大耗散功率(TJ=25°C)| PD 2.5 W |
    其他关键参数:
    - 栅电荷(Qg):2.9~10.4 nC
    - 输入电容(Ciss):196 pF
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RthJA):≤5s 时,典型值为75°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    1. 高效率:得益于先进的TrenchFET技术,该MOSFET在高频率开关应用中表现出色。
    2. 低导通电阻:典型值仅为0.102Ω(VGS=10V),有效减少功耗。
    3. 高可靠性:通过UIS测试验证,确保在极端条件下稳定运行。
    4. 优化设计:栅电荷低,开关速度更快。
    优势:
    - 在高电流和高频应用中表现出色。
    - 适用于空间受限的设计环境。
    - 与同类产品相比,具有更低的热阻,延长使用寿命。
    - 罗氏合规(RoHS),环保且安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC/DC转换器:作为主控开关管,高效转换电能。
    2. LCD背光驱动:驱动高亮度LED阵列,提供稳定的电流输出。
    3. 负载开关:快速响应的过流保护,保障系统安全性。
    使用建议:
    - 散热设计:建议使用外部散热片或风扇辅助散热,尤其是在高电流情况下。
    - 驱动电路优化:降低栅极驱动电阻以提高开关速度。
    - 环境适应性:在极端温度环境中,需调整冷却策略以保持正常工作。

    兼容性和支持


    兼容性:
    该MOSFET支持标准SOT89封装,可轻松替换现有设计中的类似产品。其低热阻特性使其能够很好地适配主流的PCB布局。
    厂商支持:
    VBsemi公司提供详尽的技术文档和技术支持,包括设计指南、SPICE模型下载以及在线技术支持服务。客户可以通过服务热线400-655-8788联系技术人员获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极驱动电阻值 |
    | 温度过高 | 添加散热器或优化PCB布局 |
    | 导通电阻增大 | 检查焊接质量或更换符合要求的MOSFET |

    总结和推荐


    综合评估:
    N-Channel 100V MOSFET凭借其高效的开关性能、低导通电阻和宽泛的工作温度范围,在多个领域展现了强大的竞争力。其出色的热管理和可靠性使其成为电源管理和功率控制的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐给需要高效、紧凑解决方案的设计工程师。无论是DC/DC转换器还是LCD背光驱动,这款MOSFET都能提供卓越的性能和稳定性。

K1698-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 126mΩ@10V,139mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 3.1A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1698-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1698-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1698-VB K1698-VB数据手册

K1698-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504