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UT4404L-S08-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4404L-S08-T-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4404L-S08-T-VB

UT4404L-S08-T-VB概述

    UT4404L-S08-T N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

    产品简介


    UT4404L-S08-T是一款高性能的N沟道30V(漏极-源极)MOSFET。这款器件特别设计用于高侧同步整流操作,适用于笔记本CPU核心的高侧开关。它采用表面贴装技术,支持SO-8封装,适用于多种电子设备,尤其是在功率管理、通信设备及电源转换等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    以下是UT4404L-S08-T的技术参数和性能指标:
    - 最大漏极-源极电压 (VDS):30V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):在环境温度为25°C时可达13A,在环境温度为70°C时可达7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 最大功率耗散 (PD):在环境温度为25°C时可达4.1W,在环境温度为70°C时可达2.5W
    - 输出电容 (Coss):165pF
    - 栅极电荷 (Qg):在VDS=15V, VGS=10V时为15-23nC
    - 静态阈值电压 (VGS(th)):1.0-3.0V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):在VDS=30V时≤1μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V时为0.008Ω,在VGS=4.5V时为0.011Ω

    产品特点和优势


    1. 环保设计:符合RoHS标准,无卤素。
    2. 高性能:采用TrenchFET®工艺,具备出色的低导通电阻和高速开关能力。
    3. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品质量。
    4. 优化应用:专门优化用于高侧同步整流操作,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    UT4404L-S08-T非常适合于笔记本CPU核心的高侧开关,也可以用于其他需要高效能功率控制的场合。在实际使用中,用户应注意以下几点:
    - 在高温环境下(如TJ=150°C),确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 设计时应考虑负载条件,避免过载。
    - 使用推荐的最小焊盘尺寸,确保良好的焊接质量和长期可靠性。

    兼容性和支持


    UT4404L-S08-T采用标准SO-8封装,与市面上大多数SMD设备兼容。VBsemi提供全面的技术支持和售后保障,用户可以随时联系服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在使用过程中发热严重,影响正常工作。
    - 解决办法:检查散热片是否安装得当,确保良好的空气流通和散热。

    2. 问题:MOSFET在高电流条件下出现击穿现象。
    - 解决办法:确认负载电流不超过器件的最大额定值,必要时增加外部保护电路。

    总结和推荐


    UT4404L-S08-T凭借其高效率、低功耗和良好的环境适应性,在众多应用中表现出色。它的设计和制造都经过严格的质量控制,适合需要高可靠性和稳定性的应用场景。强烈推荐给需要高效能功率控制的设计师和工程师们。

UT4404L-S08-T-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4404L-S08-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4404L-S08-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4404L-S08-T-VB UT4404L-S08-T-VB数据手册

UT4404L-S08-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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