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FMP12N60ES-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: FMP12N60ES-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMP12N60ES-VB

FMP12N60ES-VB概述

    # FMP12N60ES-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    FMP12N60ES-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),适用于服务器、通信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统等领域。它的设计目标是在各种应用中提供卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    静态参数
    - 最大漏源击穿电压 \( V{DSS} \): 650 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS}=10V \)时): 0.50 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \)(\( V{GS}=0V, V{DS}=100V, f=1MHz \)时): 1470 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): -
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): -
    - 总栅极电荷 \( Qg \)(\( V{GS}=10V, ID=4A, V{DS}=520V \)时): 21 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 10.5 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 15.8 nC
    动态参数
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): -
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 21 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 123 W
    - 绝对最大温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    热阻
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 63°C/W
    - 最大结点到外壳(漏极)热阻 \( R{thJC} \): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    FMP12N60ES-VB 具备以下特点和优势:
    - 低损耗: 其漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) 极低,从而减少了功耗。
    - 快速开关特性: 几乎无输入电容 \( C{iss} \),减少开关损耗,提升效率。
    - 高可靠性: 高雪崩耐量(UIS),适用于要求严格的工业应用。
    - 良好的散热性能: 低热阻 \( R{thJC} \),确保长期稳定运行。
    - 逻辑电平驱动: 适用于多种控制电路设计,如服务器电源、PFC 等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源: 作为高效的电源转换器使用。
    - LED 照明: 用于驱动高密度 LED 系统,提高能效。
    - 工业应用: 适用于工业自动化中的高功率电机控制。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热措施,例如采用散热片或冷却风扇。
    - 布局优化: 减少引线电感,增加接地平面以降低寄生电感。
    - 波形优化: 在高频应用中,注意波形优化以避免过压现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品采用标准 TO-220AB 封装,易于安装且与其他标准电路板兼容。
    - 技术支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,可通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 工作温度范围
    - 解决方案: 确认使用环境在规定的温度范围内,必要时采取适当的散热措施。

    2. 栅极电压过高
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动器并限制输入电压,确保不超过 \( V{GS} = ± 30V \)。
    3. 工作电流超出限制
    - 解决方案: 定期检查负载条件,防止过载。

    总结和推荐


    FMP12N60ES-VB 是一款具有优异性能和可靠性的功率 MOSFET,特别适合需要高效能、高可靠性的工业应用。其出色的热管理和低损耗特性使其成为服务器、通信设备和工业控制系统的理想选择。我们强烈推荐在相关应用中采用此产品。

FMP12N60ES-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FMP12N60ES-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMP12N60ES-VB数据手册

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FMP12N60ES-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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