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2SK3049-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 2SK3049-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3049-VB

2SK3049-VB概述


    产品简介


    2SK3049-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,设计用于满足高效率、低损耗的应用需求。该产品具备极低的门极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),显著降低了开关损耗和导通损耗。此外,它还具备出色的雪崩耐受能力(UIS)。这款MOSFET 广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业设备。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 650V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C): 4A
    - 脉冲漏电流(a): 3.5A
    - 单脉冲雪崩能量(b): 87mJ
    - 最大功率耗散(PD): 未指定,但线性降额因子为0.17W/°C
    - 绝对最高温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻(RthJA, RthJC): 最大值分别为63°C/W 和 0.6°C/W
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 2V 至 4V
    - 有效输出电容(Coss):
    - 在VGS = 0V, f = 1MHz时的最大值未提供
    - 总门电荷(Qg): 未提供具体数值,但在VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V条件下测试

    产品特点和优势


    2SK3049-VB 的核心优势在于其极低的门极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),这使得它在高频和高功率应用中表现出色。此外,其独特的低阻断电压(VDS)和增强的雪崩耐受能力(UIS)也使其在工业和照明应用中成为理想选择。该产品在高效率、低损耗方面的表现尤为突出,能够显著提高系统的整体性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    2SK3049-VB 在多种应用场景中都有优异的表现,特别是在需要高效、低损耗的电源管理系统中。例如,在服务器和电信电源系统中,它能显著降低能耗并提升效率;在照明系统中,特别是在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,其高效性能能够延长灯具寿命并减少维护成本。
    使用建议:
    1. 在高温环境中使用时,应注意散热措施,确保MOSFET的工作温度不超过其绝对最大值。
    2. 避免短时间内的高电流冲击,以防止过载和损坏。
    3. 考虑到2SK3049-VB 具备优秀的雪崩耐受能力,可以考虑在需要高可靠性的电路设计中采用该产品。

    兼容性和支持


    2SK3049-VB 具有良好的兼容性,可与其他同类设备或系统集成使用。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术咨询及故障排除指南。此外,客户还可以通过服务热线或官方网站获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    问题1: 设备在高温环境下出现异常温升。
    解决方案: 检查散热片的设计是否合理,确认是否有足够的空气流动,必要时增加外部冷却措施,如风扇或水冷装置。
    问题2: 产品在长时间工作后出现过热现象。
    解决方案: 检查电源负载和电流情况,确保工作条件在产品的安全范围内。如果负载过大,可能需要增加额外的散热设施或者调整系统设计以减轻负荷。
    问题3: MOSFET在高频率切换时出现振铃现象。
    解决方案: 可以通过添加适当的缓冲电路来减少开关过程中的振铃效应,同时注意调整门极电阻(Rg)的值,以优化驱动信号的质量。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3049-VB是一款具有高性价比、高性能的N沟道功率MOSFET。其卓越的低损耗特性使其在各类电源管理和高功率应用中表现突出。我们强烈推荐该产品给对系统效率和可靠性有较高要求的应用领域。通过仔细遵循使用建议和注意事项,用户可以充分利用2SK3049-VB的优势,实现最优的应用效果。

2SK3049-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3049-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3049-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3049-VB 2SK3049-VB数据手册

2SK3049-VB封装设计

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