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K1657-T2B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1657-T2B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1657-T2B-A-VB

K1657-T2B-A-VB概述


    产品简介


    本手册描述的是N-Channel 60-V (D-S) MOSFET,一种适用于各种电路和应用的高性能功率晶体管。这类晶体管广泛应用于逻辑接口、驱动电路、电池供电系统及固态继电器等领域。其核心特性包括低阈值电压、低输入电容和快速开关速度,这使其成为高速数字电路的理想选择。

    技术参数


    - 基本特性
    - Halogen-free(符合IEC 61249-2-21定义)
    - 阈值电压:2 V(典型值)
    - 输入电容:25 pF
    - 快速开关速度:25 ns
    - 低输入和输出漏电流
    - 峰值电流:800 mA
    - 最大工作温度:150 °C
    - 脉冲宽度限制:最大结温
    - 电源损耗:0.30 W(环境温度为25 °C时)
    - 热阻抗:350 °C/W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏极电流 (ID):250 mA(环境温度为25 °C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):800 mA
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 规格指标
    - 漏源击穿电压 (VDS):60 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1 V至2.5 V
    - 输入电容 (Ciss):25 pF
    - 输出电容 (Coss):5 pF
    - 反向传输电容 (Crss):2.0 pF
    - 开关时间:20 ns(开启时间),30 ns(关闭时间)

    产品特点和优势


    N-Channel 60-V MOSFET具备多种优势,如低偏置电压、低电压操作、易于驱动且无需缓冲器。其高转换速率使它非常适合用于高速电路设计。此外,该晶体管具有1200V的ESD保护能力,使其适用于对静电敏感的应用场合。低输入和输出漏电流则有助于提高系统的整体稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    此款MOSFET可用于各种驱动器(如继电器、螺线管、灯泡、锤子、显示屏等)、逻辑接口(TTL/CMOS)以及电池供电系统。对于设计者而言,在进行电路设计时,需要注意其快速开关速度可能带来的高频干扰,可适当增加滤波电路以减少噪声影响。在高负载或高压环境中使用时,建议额外注意散热管理,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    N-Channel 60-V MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,无铅封装,适合现代环保标准。此外,该产品适用于多种封装形式,能够与大多数常见的电子元件或设备兼容。制造商提供了全面的技术支持和服务,包括在线文档资源和客户服务热线,确保用户可以顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定MOSFET是否处于最佳工作状态?
    - 解决方案: 使用万用表测量栅源电压(VGS)和漏源电压(VDS),并参考产品手册中的特性曲线,确保各项参数均在正常范围内。
    - 问题:长时间运行时MOSFET的温度如何控制?
    - 解决方案: 在设计PCB布局时,考虑增加散热片或采用强制风冷等方式来帮助散热。也可以通过软件控制降低功耗,避免MOSFET因过热而损坏。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 60-V MOSFET凭借其高效能、高可靠性和易用性,在众多应用中表现出色。它不仅具备快速响应和低能耗的特点,还拥有广泛的温度适应性和卓越的抗静电性能。鉴于其在多个领域的广泛应用潜力,强烈推荐设计师和技术人员将其纳入项目之中,尤其是对于那些要求高性能、低功耗的应用环境。

K1657-T2B-A-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1657-T2B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1657-T2B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1657-T2B-A-VB K1657-T2B-A-VB数据手册

K1657-T2B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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型号 价格(含增值税)
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