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UT75N03L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT75N03L-TF3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT75N03L-TF3-T-VB

UT75N03L-TF3-T-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的电源管理器件,采用先进的沟槽技术(TrenchFET®),适用于多种电力转换和控制场景。该器件具有高效率、低导通电阻(RDS(on))和出色的热性能。主要应用包括服务器电源管理系统、直流到直流转换器(DC/DC)、以及负载切换(OR-ing)等功能。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175°C) | ID 120 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 380 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 36 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 64.8 | V |
    | 连续源漏二极管电流 | IS 90 A |
    | 最大功率耗散 | PD 250 W |
    | 最大结壳热阻 | RthJC | 0.5 0.6 | °C/W |
    | 最大结壳-环境热阻 | RthJA | 32 40 | °C/W |
    | 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:采用TrenchFET®技术,具备较低的RDS(on),保证高效率和低功耗。
    - 可靠测试:100% Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 环保合规:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准,适合广泛的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源系统中作为OR-ing开关,实现电源的无缝切换。
    - 用于直流到直流转换器,提高转换效率并降低热量。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,应选择合适的散热片,以避免因过热导致的性能下降。
    - 建议在高温环境下使用时监测其温度,必要时增加散热措施。

    5. 兼容性和支持


    该器件设计上具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助和指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:功率耗散过大导致过热。
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的散热环境。
    - 问题:漏电流过高影响电路稳定性。
    - 解决方案:检查栅源电压(VGS)设置,确保其处于正常范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:
    N-Channel 30-V MOSFET凭借其高效的性能、可靠的测试以及良好的兼容性,在电力管理和控制系统中表现出色。它不仅能够提升系统的整体性能,还能有效降低成本和功耗。
    推荐:
    我们强烈推荐这款MOSFET用于需要高效率、稳定性的电力转换和控制场合,例如服务器电源系统、直流到直流转换器等。其优越的性能和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。

UT75N03L-TF3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT75N03L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT75N03L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT75N03L-TF3-T-VB UT75N03L-TF3-T-VB数据手册

UT75N03L-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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