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QM6008P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: QM6008P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM6008P-VB

QM6008P-VB概述

    QM6008P N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    QM6008P 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效、高速切换的应用场合。MOSFET具有动态dv/dt额定值、快速开关和并联简便的特点,非常适合高频工作环境。

    技术参数


    以下是QM6008P的关键技术参数:
    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 - 3.0V
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): -25 μA (VDS = 60V)

    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.072Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 25nC (VGS = 10V, ID = 17A, VDS = 48V)
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 5.8nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 11nC
    - 工作环境
    - 结温范围 \( TJ \): -55°C 至 +175°C
    - 储存温度范围 \( T{STG} \): -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    QM6008P的主要特点包括:
    - 动态dv/dt额定值:允许更高的dv/dt处理能力,减少电磁干扰。
    - 快速开关:响应速度快,适用于高频开关电路。
    - 并联简便:易于并联使用,适合高功率应用。
    - 简单的驱动要求:降低了驱动电路的设计复杂度。
    这些特性使得QM6008P在高频、高可靠性要求的应用中表现出色,具有较强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    QM6008P通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用中。在使用过程中,需要注意以下几点:
    - 散热管理:为了确保长时间稳定运行,需要良好的散热设计。
    - 电路布局:低杂散电感和地平面设计有助于提高系统整体性能。
    - 测试电路:如图10和图12所示,合理设置测试条件以验证产品的开关特性和瞬态响应。

    兼容性和支持


    QM6008P与标准的TO-220封装兼容,可以方便地替换市场上常见的同类产品。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档。此外,用户可以通过服务热线400-655-8788获得进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确安装QM6008P?
    - A:按照图14中的建议,采用低杂散电感的电路布局和良好的接地设计来安装。

    - Q:如何避免过热损坏?
    - A:确保良好的散热设计,如图11所示,合理控制脉冲宽度和温度,避免超过最大结温。

    总结和推荐


    QM6008P是一款高性能的N沟道60V MOSFET,适用于高频、高可靠性要求的应用场合。其独特的动态dv/dt额定值、快速开关和简便的驱动要求使其在市场上具有较强的竞争优势。通过良好的散热管理和合理的电路布局,QM6008P能够充分发挥其性能优势,适用于多种应用场景。强烈推荐使用QM6008P,尤其对于那些需要高可靠性和高效率的应用。

QM6008P-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 25A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM6008P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM6008P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM6008P-VB QM6008P-VB数据手册

QM6008P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
1000+ ¥ 1.4077
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