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HM20N15KA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: HM20N15KA-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM20N15KA-VB

HM20N15KA-VB概述

    HM20N15KA N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HM20N15KA 是一款由 VBsemi 生产的N沟道150V(漏-源)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品以其低栅漏电荷和高可靠性著称,适用于多种开关电源和功率管理电路中的主侧开关。此外,HM20N15KA 符合 RoHS 指令,并且无卤素,使其环保适用范围更广。

    2. 技术参数


    HM20N15KA 的关键技术和性能参数如下:
    | 参数名称 | 技术规格 |

    | 漏-源电压 VDS | 150 V |
    | 栅-源电压 VGS | ±20 V |
    | 持续漏电流 ID | 40 A @ TC = 25°C |
    | 脉冲漏电流 IDM | 50 A |
    | 额定功率 PD | 5.9 W @ TC = 25°C |
    | 结温范围 TJ | -55°C 至 +150°C |
    | 最大结到外壳热阻 RthJA | 33°C/W @ TC = 25°C |
    此外,HM20N15KA 的静态和动态特性如下:
    | 静态特性 | 技术规格 |

    | 开启电压 VGS(th) | 1.5V 至 2.5V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.032Ω @ VGS = 10V, ID = 5A |
    | 反向恢复时间 trr | 63 ns @ IS = 2.6A |
    | 动态特性 | 技术规格 |

    | 输入电容 Ciss | 1735 pF @ VDS = 50V, VGS = 0V |
    | 输出电容 Coss | 160 pF @ VDS = 50V |
    | 栅电荷 Qg | 28.5 nC @ VDS = 75V, VGS = 10V|

    3. 产品特点和优势


    HM20N15KA 的独特优势包括:
    - 极低的 Qgd 值:有效降低了开关损耗,提高了效率。
    - 100% Rg 测试:确保每个器件都经过栅极电阻测试,保证可靠性和一致性。
    - 100% 雪崩测试:通过严格的雪崩测试,增强了产品的耐受能力。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准:满足国际环保要求,适用于各类绿色环保电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:HM20N15KA 在电力转换、电机驱动和开关电源等应用中表现出色。例如,在一个典型的开关电源设计中,它作为初级侧开关,用于高效能功率转换。
    使用建议:
    - 在进行布局时,确保良好的散热设计,以避免因温度过高导致器件失效。
    - 使用合适的栅极电阻,以优化开关时间和降低损耗。
    - 定期检查温度,确保其在规定的安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    HM20N15KA 采用 TO-252 封装,易于集成到各种 PCB 设计中。此外,VBsemi 提供详尽的技术支持,包括详细的设计指南和故障排除文档,确保客户能够快速解决问题并实现最优性能。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问:在高温环境下运行是否会降低器件寿命?
    - 答:是的。虽然 HM20N15KA 具有较高的最大结温(150°C),但长期工作在较高温度下仍会缩短使用寿命。应采取适当的散热措施来延长器件寿命。
    常见问题:
    - 问:如何避免栅极震荡?
    - 答:使用合适的栅极电阻和电容,优化栅极驱动电路,可以减少栅极震荡现象。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HM20N15KA N-Channel 150V MOSFET 凭借其出色的电气性能和稳定性,是一款值得推荐的产品。它特别适合于需要高效率、低损耗的应用场合。对于寻求高性能 MOSFET 的工程师和技术人员来说,HM20N15KA 是一个非常理想的选择。

HM20N15KA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 25A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@10V,50mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM20N15KA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM20N15KA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM20N15KA-VB HM20N15KA-VB数据手册

HM20N15KA-VB封装设计

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