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JCS2N60V-O-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N60V-O-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60V-O-V-N-B-VB

JCS2N60V-O-V-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS2N60V-O-V-N-B 低电压N沟道MOSFET
    JCS2N60V-O-V-N-B 是一款高性能N沟道功率MOSFET,主要应用于电源管理、电机控制和其他高功率转换应用中。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(VDS),使其能够在多种严苛的应用环境中表现出色。其独特的设计有助于减少驱动需求和提高系统可靠性,从而满足现代电子系统对高效能、高可靠性的要求。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 650 | - | V |
    | 门源电压(VGS) | ±30 | - | ±30 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | - | 1.28 | - | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | 8 | - | A |
    | 热阻(RthJA) | - | 65 | - | °C/W |
    | 击穿电压(VDS) | 650 | - | - | V |
    | 开启电阻(RDS(on)) | - | 5 | - | Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | - | 11 | - | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | 417 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 45 | - | pF |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:低Qg导致简单的驱动要求。
    2. 高可靠性和耐用性:改进的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性。
    3. 完全电容特性化:雪崩电压和电流完全特性化。
    4. RoHS合规:符合RoHS标准。
    5. 低开启电阻:即使在高温条件下也能保持较低的导通电阻,确保在高功率应用中的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:用于开关电源中的主控MOSFET。
    2. 电机控制:作为逆变器或电动机控制器的一部分。
    3. 工业设备:适用于需要高效率和高可靠性系统的工业设备。
    使用建议:
    1. 散热管理:为确保长期运行的稳定性,合理设计散热方案以避免过热。
    2. 电路布局:考虑低寄生电感的布局和接地平面设计,以提高系统可靠性。
    3. 测试验证:在特定应用中,根据实际操作条件对产品进行充分测试验证。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品与主流驱动电路和控制器兼容。
    - 可与IPAK封装的其他器件配套使用。
    支持:
    - 台湾VBsemi提供详尽的技术文档和客户支持。
    - 可联系技术支持团队获取帮助和建议。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 优化散热设计并确保适当的冷却措施。 |
    | 无法达到预期性能 | 检查电路布局和连接是否正确。 |
    | 雪崩保护触发频繁 | 检查负载条件是否符合额定值。 |

    总结和推荐


    总结:
    JCS2N60V-O-V-N-B 作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻、高耐压能力和优良的可靠性。其独特的设计使得它能够广泛应用于电源管理和电机控制等高要求场合。
    推荐:
    强烈推荐JCS2N60V-O-V-N-B 在高功率转换和控制应用中使用,尤其是在要求高可靠性和低功耗的工业和商业环境中。通过遵循合理的使用建议和注意维护事项,可以充分发挥其优越性能。

JCS2N60V-O-V-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS2N60V-O-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60V-O-V-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60V-O-V-N-B-VB JCS2N60V-O-V-N-B-VB数据手册

JCS2N60V-O-V-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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