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UTT80N10L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: UTT80N10L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT80N10L-TA3-T-VB

UTT80N10L-TA3-T-VB概述

    N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),具有多种高性能特性,广泛应用于各种电子系统中。这款MOSFET采用TrenchFET技术,能够承受高达175°C的工作温度,符合RoHS指令要求。

    2. 技术参数


    以下是这款MOSFET的关键技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C 时:100A
    - TC = 125°C 时:75A
    - 脉冲漏电流 (IDM):300A
    - 雪崩电流 (IAS):75A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):280mJ
    - 最大功耗 (PD):250W (TC = 25°C),3.75W (TA = 25°C)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55至175°C
    - 热阻 (RthJA):TO-220AB:62.5°C/W;TO-263:40°C/W
    - 热阻 (RthJC):0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    该N-Channel MOSFET 的主要优势包括:
    - 高温耐受能力:能够在高达175°C的环境中稳定工作。
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.009Ω,在VGS=4.5V时为0.020Ω。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,确保环保且耐用。
    - 优秀的动态性能:低输入电容 (Ciss),低输出电容 (Coss),反向传输电容 (Crss) 等参数优异,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在汽车电子系统中作为电源管理器件。
    - 在工业控制设备中用于电机驱动和逆变器应用。
    使用建议:
    - 使用散热片以降低热阻,提高可靠性和使用寿命。
    - 选择合适的驱动电路以确保栅极驱动电压满足产品要求。
    - 遵循电路板布局指南以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET可直接替换其他同类型号的MOSFET,如与现有设计兼容良好。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档和电话技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题1:设备工作温度过高,导致MOSFET失效。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并使用适当的散热片降低热阻。
    常见问题2:启动和关闭时间过长。
    - 解决方案:优化驱动电路的设计,减少寄生电容和电感的影响,提高驱动信号的频率。
    常见问题3:工作电流超过额定值。
    - 解决方案:选择适当型号的MOSFET,并确保电路设计合理,避免超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET凭借其卓越的高温耐受能力和出色的动态性能,是电源管理和控制系统中的理想选择。推荐在需要高可靠性且工作环境苛刻的应用中使用此产品。此外,VBsemi提供的技术支持和售后服务也为用户提供了额外的信心保障。

UTT80N10L-TA3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT80N10L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT80N10L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT80N10L-TA3-T-VB UTT80N10L-TA3-T-VB数据手册

UTT80N10L-TA3-T-VB封装设计

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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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